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LTC1143/LTC1143L
LTC1143L-ADJ
应用信息
该LTC1143L -ADJ输出可以在两个1被关闭
方法：1）通过将功率MOSFET开关在V
IN
LINE
到整个调节器，或2）通过拉动V
FB
在针
1.4V ，其车次比较V和力量P- DRIVE高
（参见原理图） 。 V
FB
可拉高了
小电流，但用于关闭的任何电路的
LTC1143L -ADJ以这种方式必须最大限度地减少V
FB
领导
长度以避免噪声耦合正常运行过程中。
在图6的电路，以高SHUTDOWN开启
PNP Q
SD
该源的电流为V
FB
。关闭
正常， RSD必须选择拉V
FB
上面用1.4V
V
OUT
在0V和最小V
IN
。注意，这种技术
取决于负载电阻，以防止V
OUT
从
浮由于电流流入V
FB
.
V
OUT
R2
Q
SD
V
FB
100pF
R1
50k
100k
关闭
1143 F06
V
IN
R
SD
200k
图6.本地V
FB
拉关下LTC1143L -ADJ
设计实例
作为一个设计实例，假设V
IN
= 12V （标称值） ，V
OUT
=
3.3V ，我
最大
= 2A和 = 200kHz的。
SENSE
, C
T
和L可以
立即进行计算：
R
SENSE
= 100mV的/ 2 = 0.05Ω
t
关闭
=（1 / 200kHz的） [ 1 - （ 3.3 / 12） ] = 3.63μs
C
T
= 3.63s/(1.3
×
10
4
） = 280pF （使用300pF ）
L
民
= 5.1(10
5
） （ 0.05Ω ） （ 300pF ） 3.3V = 25μH
假设一个双P沟道功率MOSFET是要
用过的和耗散是被限定于1W总在
最坏情况下的最低V
IN
= 4V 。如果T
A
= 50 ℃，将
在MOSFET封装的热阻为50℃/ W，
然后，结温为100 ℃，并
14
U
W
U
U
δ
P
= 0.005 （ 100 - 25 ） = 0.38 。的最大R
DS （ ON）
为
每个MOSFET ，现在可以计算：
41
1
P - ch R上
DS （ ON）
=
2
2
3
.
3 2 1
.
38
()
()( )
=
0
.
11
允许V
IN
稍微被下面的V
GS
习惯/过去常常
指定
DS （ ON）
，这一要求可以通过一半的满足
一个Siliconix公司Si4953DY ，飞兆半导体NDS8947或类似
SO-8双P沟道MOSFET 。
对于肖特基二极管的最严格的要求是
随着V
OUT
= 0V （即短路）。在一个连续的短
电路中，在最坏情况下的肖特基二极管耗散上升到：
V
P
D
=
I
SC
(
AVG
)
V
D
1
OUT
V
IN
( )
随着0.05Ω检测电阻，我
SC （ AVG ）
= 2A将导致，
增加了0.4V的肖特基二极管功耗为0.8W 。
C
IN
至少需要1A的RMS电流额定值
温度和C
OUT
需要0.05Ω的ESR为
最佳效率。
故障排除提示
因为效率是至关重要的LTC1143系列应用程序
这是非常重要的，以验证该电路是否正常
正确的连续和突发模式工作。
在波形监视器上的时序，电压
电容引脚6和14 。
在连续模式（I
负载
＆ GT ;我
BURST
）在C上的电压
T
针应具有0.9V的锯齿
P-P
摆动。这
电压绝不能沾2V以下，如图7a所示。
当负载电流低（我
负载
＆ LT ;我
BURST
）突发模式
发生的操作。在C上的电压
T
脚现在下降到
地面的时间段在图7b中所示。
如果6脚或14脚观察坠落地面高
输出电流，它表明解耦不良或不当
接地。是指电路板布局清单。
