LTC1143/LTC1143L
LTC1143L-ADJ
应用信息
从V画
IN
与造成的损失增加
输入电压。对于V
IN
= 10V的直流偏置损耗
通常超过30毫安负载电流小于1％ 。
然而，在非常低的负载电流中的直流偏置电流
几乎占全部损失。
2 ） MOSFET的栅极电荷开关电流结果
功率MOSFET的栅极电容。每次
MOSFET的栅极由低到高分到低分再次切换，
负责包dQ的从V移动
IN
到地面。该
导致DQ / DT是一种电流输出的V
IN
这是典型地
比DC电源电流大得多。在连续
模式，我
GATECHG
= (Q
P
） 。为典型的栅极电荷
一个0.05Ω的P沟道功率MOSFET为40nC 。这
结果我
GATECHG
= 4毫安在100kHz的连续运行
化，为2％至3 ％的典型midcurrent损失与
V
IN
= 10V.
注意，栅极电荷损耗直接增加了与
两个输入电压和工作频率。这是
主要的原因，最高的效率电路
工作在中等频率。此外，它
认为对使用较大的MOSFET超过必要
控制我
2
损失，因为矫枉过正可降本增效
还有钱！
3) I
2
损失容易从直流电阻预测
的MOSFET ，电感和电流分流。在连续
模式中的平均输出电流流过L和
R
SENSE
但在P沟道之间的“斩波”
MOSFET和肖特基二极管。该MOSFET
DS （ ON）
多
由P沟道占空比合股可以与求和
L和R的电阻
SENSE
获得我
2
损失。
例如，如果R
DS （ ON）
= 0.1, R
L
= 0.15Ω ，及
R
SENSE
= 0.05Ω ，则总电阻是0.3Ω 。这
导致的损失为3％至10％的输出
电流增大，从0.5A到2A 。我
2
损失造成的
效率，以在高输出电流滚下。
4）肖特基二极管的功率损耗的主要来源
高电流和恶化在高输入电压。
二极管损耗乘以正向计算
压降倍肖特基二极管占空比
乘以负载电流。例如，假定
超过50％的肖特基二极管的正向的占空比
0.4V的电压降，则损失增大，从0.5％至
8 ％的负载电流的增加，从0.5A到2A 。如果
Schotky二极管的损耗通常超过5 ％的人认为
使用同步切换LTC1142系列。
图5示出的效率如何损失的一个部分
一个典型的LTC1143串联稳压器最终会被appor-
tioned 。栅极电荷损失是负责多数
在midcurrent区域失去了效率。如果突发
运作模式是：未使用在低电流时，
栅极电荷损耗孤独会导致效率下降到
不可接受的水平。随着突发模式工作时，直流
电源电流表示独行（和不可避免的）损失
组件，该组件继续变得更高百分比
年龄作为输出电流减小。正如预期的，我
2
R
损失和肖特基二极管负占据优势，在高负荷
电流。
其他损失包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散
损失， MOSFET的开关损耗和电感磁芯损耗，
通常占小于2 ％的总的附加损耗。
100
栅极电荷
95
效率（％）
1
/ LTC1143我
2
Q
U
W
U
U
I
2
R
90
肖特基
二极管
85
80
0.01
0.03
0.3
1
0.1
输出电流（A ）
3
LTC1143 F05
图5.效率损失
关机注意事项
在LTC1143和LTC1143L插针2和10关闭
它们各自的章节时拉高。他们需要
用叔CMOS逻辑电平信号
r
, t
f
<为1μs ，绝
被浮动。该LTC1143L -ADJ放弃销控
为了获得反馈引脚关断功能
编程的输出电压。
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