LTC1143/LTC1143L
LTC1143L-ADJ
应用信息
一旦频率已经被设置为C
T
，电感L绝
进行选择以提供不超过25mV的/右
SENSE
峰值检波的
峰值电感纹波电流。这导致了一个最小
所需的电感值：
L
民
= 5.1(10
5
)(R
SENSE
)(C
T
)V
REG
作为电感值从最小增加
值，对输出电容ESR的要求
缓解了在效率为代价的。如果过小的电感器
被使用时，电感器电流将变得不连续的
前LTC1143系列进入突发模式操作。一
此结果是， LTC1143系列将延迟
进入突发模式操作和效率将是
在低电流退化。
电感磁芯的选择
一旦对于L的最低值是已知的，类型
电感器必须选择。最高的效率会
采用铁素体获得，库尔Mμ
或钼坡莫合金（ MPP ）
内核。更低的成本铁粉芯提供合适的
性能，但切割效率由3 ％至7％ 。实际的核心
损失是独立的核心尺寸为固定的电感值，
但它是非常依赖于电感选择。如
电感量的增加，磁芯损耗下去。不幸的是，
增加电感线需要更多的圈数和
因此铜损会增加。
铁素体的设计具有非常低的铁心损耗，因此设计目标
可以集中在铜损和防止饱和。
铁氧体磁芯材料饱和“硬”，这意味着，
电感突然崩溃时的峰值电流的设计
被超过。这导致电感器的突然增加
纹波电流和由此产生的输出电压纹波
可引起突发模式操作中错误地触发。办
不允许该芯饱和！
库尔Mμ （从磁公司）是一种很不错的，低损耗芯
材料为环形带的“软”饱和特性。
钼坡莫合金是在高温（ > 200千赫）稍微更有效
开关频率，但相当多的昂贵。
环形磁芯是非常节省空间，尤其是当你可以
使用丝好几层，而电感绕在
筒子一般都是比较容易表面贴装。新设计
表面贴装可从COILTRONICS ， Coilcraft公司
和墨田区。
功率MOSFET选择
外部功率MOSFET必须选择与使用
的LTC1143系列的每个部分。主要的选择
为功率MOSFET范围是阈值电压
V
GS （ TH）
，最大V
GS
评级和电阻R
DS （ ON）
.
表面贴装P沟道功率MOSFET广泛
提供单，双配置。逻辑
电平MOSFET是为运行在高达20V的规定
最大V
GS
并保证最大R
DS （ ON）
同
V
GS
= 4.5V 。较新的“子”的逻辑电平MOSFET只允许8V
最大V
GS
但保证
DS （ ON）
随着V
GS
= 2.7V 。如果
V
IN
将超过8V时，逻辑电平的MOSFET必须使用;如果
保守地指定，它们一般可用下
到3.5V最小V
IN
该LTC1143L的评级，
LTC1143L-ADJ.
最大输出电流I
最大
决定第r
DS （ ON）
要求两个MOSFET 。当LTC1143
系列是在连续模式工作时，的简化
假设可以进行，无论是MOSFET或
肖特基二极管总是导通的平均负荷
电流。占空比为MOSFET和二极管是
由下式给出：
V
P - 通道占空比
≈
OUT
V
IN
肖特基二极管占空比=
10
U
W
U
U
(
V
IN
V
OUT
+
V
D
)
V
IN
从占空比中所需的R
DS （ ON）
每个MOSFET
可以推导出：
P - ch R上
DS （ ON）
=
( )
V
OUT
I
最大
(
1
+ δ
P
)
V
IN
P
P
2
其中，P
P
是允许功耗和
δ
P
为
的R温度依存性
DS （ ON）
. P
P
将被确定
通过效率和/或热的要求（见效率
注意事项） 。 （ 1+
δ
P
）通常用于在MOSFET的定
的归一化R的形式
DS （ ON）
与温度的关系曲线，
库尔Mμ是磁，Inc.的注册商标。
