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LTC1143/LTC1143L
LTC1143L-ADJ
应用信息
但
δ
= 0.005 / ℃，可以作为一种近似为低
电压的MOSFET 。
当选择P沟道功率MOSFET的每个
部分中，应考虑到使用双MOSFET
与用于所述第二调节器的另一半。假设
两个部分都工作在类似的电流，所需要的
R
DS （ ON）
将是一个MOSFET，半值留下来内
封装功耗限制。
请记住，最坏情况
MOSFET的损耗发生在最小V
IN
.
输出二极管的选择（D1 ， D2 ）
肖特基二极管D1和D2在图1中所示的行为
在关断时间。以充分地指定它是重要
二极管的峰值电流和平均功耗，以
不超过二极管评级。
最紧张的条件，输出二极管是根据
短路（V
OUT
= 0V）。在这种条件下，二极管
必须安全地处理我
SC （ PK ）
在接近100 ％的占空比。
在正常负载条件下的平均电流CON-
由二极管管道式为：
I
二极管
=
(
V
IN
V
OUT
+
V
D
V
IN
) (
I
负载
)
记住要保持引线长度短，遵守正确的
接地（见板布局清单），以避免振荡
并增加了散热。
在该二极管的正向压降的允许是calcu-
从最大短路电流为迟来：
V
F
≈
P
D
I
SC
(
PK
)
其中，P
D
是可允许的功率耗散和将
通过效率和/或热要求确定
（见效率的考虑） 。
C
IN
和C
OUT
选择
在连续模式下， P沟道的源极电流
MOSFET是方波的占空比V
OUT
/ V
IN
。对
防止大的瞬态电压，低等效串联
电阻（ESR）的输入电容器的尺寸为最大
U
W
U
U
RMS电流必须被使用。最大RMS电容器
电流由下式给出：
C
IN
需要我
RMS
≈
I
最大
[
(
V
OUT
V
IN
V
OUT
V
IN
)
]
1
/
2
该式具有最大值在V
IN
= 2V
OUT
，在那里我
RMS
= I
OUT
/ 2 。这个简单的最坏情况是常见的
用于设计，因为即使是显著的偏差不
提供多少援助。需要注意的是电容制造商
纹波电流额定值往往仅基于2000小时
生活。这使得它建议进一步减免了
电容器，或选择额定在更高的电容器
比需要的温度。几个电容器也可以是
并联以满足大小或高度要求
设计。务必咨询厂家是否有
问题。另外一个0.1μF至1μF的陶瓷电容器
还要求每个V
IN
线（引脚5 ，13）为高
高频去耦。
C的选择
OUT
由所需的（ ESR）的驱动。
该
的C ESR
OUT
必须小于的R值的两倍
SENSE
对于LTC1143系列的适当操作：
C
OUT
所需的ESR < 2R
SENSE
通过使ESR等于获得最佳效率
与R
SENSE
。作为ESR增大到2R
SENSE
该
效率下降不到1 ％。如果ESR较大
比2R
SENSE
，输出电容器上的电压纹波
会过早地引发突发模式操作，导致
中断的连续模式和效率命中其中
可以是几个百分点。
制造商，如尼吉康和美国Chemicon公司
应考虑为高性能电容器。
该OS- CON半导体介质电容器可用
三洋有任何铝最低的ESR尺寸/率
电解以稍高的价格。一旦ESR
对于C要求
OUT
得到了满足， RMS电流
评级一般远远超过了我
纹波（P- P）的
要求。
在表面贴装应用中的多个电容器可
有以平行于满足电容， ESR或RMS
该应用程序的电流处理要求。
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