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4兆位闪存+ 1兆或256 Kbit的SRAM ComboMemory
SST31LF041 / SST31LF041A / SST31LF043 / SST31LF043A
数据表
表3 ：O型
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
选举
模式
FL灰
读
节目
抹去
SRAM
读
写
待机
闪存写保护
V
IL
V
IL
V
IHC
X
X
X
产品标识
硬件模式
软件模式
X
X
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
H
A
IN
制造商ID （ BFH ）
器件ID
3
ID码
A
18
-A
1
=V
IL
, A
0
=V
IL
A
18
-A
1
=V
IL
, A
0
=V
IH
见表4
T3.9 349
BES ＃
1
X
2
X
X
BEF ＃
1
V
IL
V
IL
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
V
IH
WE＃
V
IH
V
IL
V
IL
A
9
A
IN
A
IN
X
DQ
D
OUT
D
IN
X
地址
A
IN
A
IN
扇区地址，
XXH为银行擦除
A
IN
A
IN
X
X
X
X
V
IH
V
IH
V
IHC
X
X
V
IH
V
IL
X
X
V
IL
X
X
V
IH
V
IL
X
X
V
IH
X
A
IN
A
IN
X
X
X
X
D
OUT
D
IN
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
1. BES ＃和BEF ＃不能同时有效。对于SST31LF041A / 043A BES ＃和OE ＃分享引脚32 。
当闪光灯处于活动状态，引脚32成为OE ＃ 。当闪光灯处于非活动状态，引脚32变为BES ＃ 。
2. X可以是V
IL
或V
IH
，但没有其他价值。
3.设备ID 17H为SST31LF041 ， 16H为SST31LF041A ， 65H为SST31LF043和66H的SST31LF043A 。
表4 ：
OFTWARE
C
OMMAND
S
EQUENCE
命令
顺序
字节编程
扇区擦除
银行擦除
软件ID
条目
4,5
软件ID退出
1.
2.
3.
4.
5.
第一巴士
写周期
ADDR
1
5555H
5555H
5555H
5555H
5555H
数据
AAH
AAH
AAH
AAH
AAH
第二巴士
写周期
ADDR
1
2AAAH
2AAAH
2AAAH
2AAAH
2AAAH
数据
55H
55H
55H
55H
55H
3公交车
写周期
ADDR
1
5555H
5555H
5555H
5555H
5555H
数据
A0H
80H
80H
90H
F0H
4公交车
写周期
ADDR
1
BA
2
5555H
5555H
数据
数据
AAH
AAH
第五公交
写周期
ADDR
1
2AAAH
2AAAH
数据
55H
55H
第六届巴士
写周期
ADDR
1
SA
X3
5555H
数据
30H
10H
T4.7 349
地址格式的
14
-A
0
（十六进制） ，地址
15
-A
18
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，对于命令序列。
BA =程序字节地址
SA
X
对于扇区擦除;使用一
18
-A
12
地址线
该设备不停留在软件产品ID模式，如果断电。
与一位
18
-A
1
= 0; SST制造商ID = BFH ，读有A
0
= 0,
SST31LF041设备ID = 17H ，读有A
0
= 1,
SST31LF041A设备ID = 16H ，读有A
0
= 1
SST31LF043设备ID = 65H ，读有A
0
= 1
SST31LF043A设备ID = 66H ，读有A
0
= 1
2001硅存储技术公司
S71107-03-000 5/01
349
7
