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4兆位闪存+ 1兆或256 Kbit的SRAM ComboMemory
SST31LF041 / SST31LF041A / SST31LF043 / SST31LF043A
SST31LF041 / 041A4Mb闪光的（x8） + 1 Mb的SRAM （ X8 ） ComboMemories
数据表
产品特点：
单片闪存+ SRAM ComboMemory
- SST31LF041 / 041A ： 512K闪存X8 + X8 128K SRAM
- SST31LF043 / 043A ： 512K闪存X8 + X8 32K SRAM
单3.0-3.6V读写操作
并发操作
- 读取或写入SRAM时
擦除/编程闪存
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流10 mA（典型值）， Flash和
20毫安（典型值）的SRAM读
- 待机电流： 10 μA （典型值）
闪存扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
锁存地址和数据的闪存
快速读取访问时间：
- SST31LF041 / 043
快讯： 70纳秒
SRAM ： 70纳秒
- SST31LF041A / 043A闪光灯： 300纳秒
SRAM ： 300纳秒
闪存快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 银行擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 银行重写时间：8秒（典型值）
闪光灯自动擦除和编程定时
- 内部V
PP
GENERATION
Flash检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准命令集
封装
- 32引脚TSOP （ 8 ×14 MM） SST31LF041A / 043A
- 40引脚TSOP （ 10 ×14 MM） SST31LF041 / 043
产品说明
该SST31LF041 / 041A / 043 / 043A设备是512K ×8
CMOS闪存银行结合128K ×8或
32K ×8 CMOS SRAM存储器组制造的
SST专有的高性能超快闪技
术。该SST31LF041 / 041A / 043 / 043A器件写
（ SRAM或闪存）与3.0-3.6V电源。该单
岩屑SST31LF041 / 041A / 043 / 043A器件符合
对于X8软件数据保护（ SDP ）命令
EEPROM的。
拥有高性能的字节编程，该闪存存储器
ORY银行提供了20的最大字节编程时间
微秒。整个闪存银行可擦除和
当编程的逐字节中通常为8秒
使用界面功能，如翻转位或数据＃查询
指示完成程序操作。为了保护
防止意外闪存写入时， SST31LF041 / 041A /
043 / 043A器件具有片上硬件和软件
数据保护方案。设计，制造，以及
测试了广泛的应用中，光谱
SST31LF041 / 041A / 043 / 043A系列器件还具有一个
保证续航能力达10000次。数据保存
额定功率大于100年。
该SST31LF041 / 041A / 043 / 043A作为两个不知疲倦
与各银行下垂记忆库使显
良。该SRAM和闪存银行
叠加在相同的存储器地址空间。两
2001硅存储技术公司
S71107-03-000 5/01
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存储器区块共享公共地址线，数据线，
WE＃和OE ＃ 。的存储体的选择是由进行
记忆库使能信号。 SRAM的银行能显
最终， BES ＃选择银行SRAM和闪存
银行的使能信号， BEF ＃选择闪存银行。
WE＃信号必须与软件的数据保护使用
控制擦除时化（ SDP ）的命令序列
和编程操作在闪速存储器区块。该
SDP命令序列可保护存储在数据
从意外修改闪存的银行。
该SST31LF041 / 041A / 043 / 043A提供的附加功能
具有能够族体同时读取或写入
要抹掉SRAM银行或编程的
快闪记忆库。 SRAM的存储器区块可以被读
或写入闪存时，银行执行以部门
擦除，银行擦除或字节编程兼任。所有的闪光灯
内存擦除和编程操作将自动
锁存器的输入地址和数据信号，并完成
运行在后台，无需进一步的输入激励
要求。一旦内部控制擦除或亲
克周期闪光灯银行已经开始，该SRAM
银行可访问的读取或写入。
该SST31LF041 / 041A / 043 / 043A的设备适合于
使用这两种非易失性闪存应用及
易失性SRAM存储器存储代码或数据。对于所有的系
统的应用， SST31LF041 / 041A / 043 / 043A
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
