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4兆位闪存+ 1兆或256 Kbit的SRAM ComboMemory
SST31LF041 / SST31LF041A / SST31LF043 / SST31LF043A
数据表
输出控制，用于从所述门控输出引脚的数据。
数据总线处于高阻抗状态，当OE ＃为高电平。
参见图5为读周期时序图。
通过数据＃查询或翻转位的方法。参见图 -
URE 10的时序波形。任何SDP命令加载
在扇区擦除操作过程中会被忽略。
闪存擦除/编程操作
SDP的命令用于启动闪光存储器区块
该SST31LF041 / 041A的编程和擦除操作/
043 / 043A 。 SDP命令加载到闪存存储器
ORY银行采用标准的微处理器写序列。
一个命令是由WE＃置为低电平，同时保持加载
BEF ＃低， OE ＃高。地址锁存在下降沿继续
荷兰国际集团WE＃或＃ BEF的边缘，无论最后发生。数据
被锁存， WE＃或BEF ＃的上升沿为准
先发生。
闪存行擦除操作
该SST31LF041 / 041A / 043 / 043A闪存银行亲
国际志愿组织一个银行擦除操作，从而允许用户
擦除整个闪存阵列银行的“1”状态。
这是有用的，当整个银行必须迅速删除。
通过执行六发起银行擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
在过去的银行擦除命令（ 10H ）地址为5555H
字节序列。内部擦除操作开始
第六WE＃或BEF ＃脉冲的上升沿，取
先发生。在内部擦除操作时，只
有效的Flash读操作是翻转位和数据＃ Poll-
ING 。看该命令序列表4 ，图11为
时序图，图20为流程图。任何SDP
银行擦除操作过程中加载命令将
忽略不计。
闪存字节编程操作
该SST31LF041的闪存库/ 041A / 043 /
043A的设备被编程在逐字节的基础。
程序操作之前，内存必须是
首先擦除。在编程操作包括三个步骤。
第一步是为软件的三字节序列载荷
数据保护。第二步骤是要加载的字节地址
和字节数据。在字节编程操作，
地址锁存任BEF ＃的下降沿或
WE＃ ，最后的为准。该数据被锁存的利培
荷兰国际集团的任何BEF ＃或WE ＃边沿，以先到为准。
第三步是内部编程操作它已以启动
tiated后的第4个WE ＃或BEF ＃的上升沿，
以先到为准。编程操作，一旦initi-
ated ，将完成，在20微秒。参见图6和7
对于WE ＃和BEF ＃控制的编程操作时序
图和图17的流程图。在计划
操作时，唯一有效的Flash读操作是数据＃
轮询和切换位。在内部编程操作
化，主机可以自由地执行其他任务。任何SDP
内部编程操作过程中加载命令
将被忽略。
Flash写操作状态检测
该SST31LF041 / 041A / 043 / 043A闪存银行亲
提供了两个软件方法来检测完成的
闪存行写（编程或擦除）周期，
命令对系统进行优化的写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
）和
切换位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能
内部编程或擦除操作。实际完井
非易失性写入和灰是异步的系
统;因此，无论是数据＃查询或翻转位的读
可同时配合完成的写
周期。如果出现这种情况，系统可能得到一个errone-
OU的结果，即有效数据可能会与发生冲突或者
DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散抑制，如果一个
错误的结果时，软件程序应
包括循环读取访问单元
两（2）倍。如果两个读数是有效的，则该装置具有
完成写周期，否则拒绝是有效的。
Flash扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
上一个扇区到扇区的基础闪速存储器区块。部门
体系结构是基于4K字节均匀的扇区大小。
通过执行六开始扇区擦除操作
软件数据保护字节的命令序列负载
化用扇区擦除命令（ 30H ）和扇区地址
（ SA ）在最后一个总线周期。地址线A
18
-A
12
会
用于确定扇区地址。扇区地址
被锁存的第六WE＃脉冲的下降沿，而
命令（ 30H ）被锁存的上升沿
6个WE ＃脉冲。内部擦除操作开始后，
第六WE ＃脉冲。在最终的擦除可以被确定
2001硅存储技术公司
闪存数据＃投票（ DQ
7
)
当SST31LF041 / 041A / 043 / 043A闪存
银行在内部编程操作，任何企图
阅读DQ
7
将产生的真实数据的补码。
一旦程序操作完成后， DQ
7
将亲
领袖真正的数据。该闪存银行则准备
接下来的操作。在内部擦除操作，任何
试图读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部
擦除操作完成时， DQ的
7
将产生一个'1'。该
数据＃投票是在第4个WE＃上升沿有效
S71107-03-000 5/01
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