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4兆位闪存+ 1兆或256 Kbit的SRAM ComboMemory
SST31LF041 / SST31LF041A / SST31LF043 / SST31LF043A
数据表
AC特性
表9 ： SRAM M
埃默里
B
ANK
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
(V
DD
= 3.0-3.6V)
SST31LF041/043-70
符号
T
RCS
T
BES
T
AAS
T
OES1
T
BLZS2
T
OLZS1
T
BHZS
T
OHS
1
SST31LF041A/043A-300
民
300
最大
300
300
150
0
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
30
10
ns
ns
ns
T9.8 349
参数
读周期时间
银行启用访问时间
地址访问时间
输出启用访问时间
BES ＃至输出有效
输出使能到输出有效
BES ＃到输出高阻态
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
民
70
最大
70
70
35
0
0
25
25
0
T
OHZS1
1.不要选丁字
OES
值SST31LF041A / 043A
2.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表10： SRAM的M
埃默里
B
ANK
W
RITE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
(V
DD
= 3.0-3.6V)
SST31LF041/043-70
符号
T
WCS
T
BWS
T
AWS
T
ASTS
T
WPS
T
WRS
T
DSS
T
美国国土安全部
参数
写周期时间
银行启用到结束时的写
地址有效到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据建立时间
从时间写数据保持
民
70
60
60
0
60
0
30
0
最大
SST31LF041A/043A-300
民
300
230
230
0
200
0
150
0
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T10.5 349
表11 ：F
LASH
R
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
(V
DD
= 3.0-3.6V)
SST31LF041/043-70
符号
T
RC
T
BE
T
AA
T
OE
T
BLZ1
T
OLZ1
T
BHZ1
T
OHZ1
T
OH1
参数
读周期时间
银行启用访问时间
地址访问时间
输出启用访问时间
BEF ＃低到有源输出
OE ＃低到有源输出
BEF ＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
0
0
0
15
15
0
民
70
70
70
40
0
0
60
60
最大
SST31LF041A/043A-300
民
300
300
300
150
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T11.5 349
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2001硅存储技术公司
S71107-03-000 5/01
349
10
