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16兆位并行的SuperFlash + 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1621 / SST34HF1641
数据表
TOP VIEW （球朝下）
SST34HF1621/1641
8
7
6
5
4
3
2
A7
A11
A8
A15
A12
A19
NC
A13
A9
NC
A14
A10
A16
SA
NC
VSS
DQ15 DQ7 DQ14
DQ6的DQ13 DQ12 DQ5
DQ4 VDDS首席信息官
DQ3 VDDF DQ11
WE＃ BES2 NC
WP ＃ RST ＃ RY / BY ＃
LBS ＃瑞银A18 ＃
A6
A3
A5
A2
A17
A4
A1
DQ1 DQ9 DQ10 DQ2
VSS OE ＃
A0
DQ0 DQ8
1
BEF ＃ BES1 ＃
A B C D E F G H
523 56 - LFBGA ILL P01.2
图2 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
56-
球
LFBGA （ 8
MM
表2 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
引脚名称
功能
A
MS1
到A
0
地址输入
SA
地址输入（ SRAM ）
X
10
MM
) C
翁布
M
埃默里
P
INOUT
提供flash地址，A
19
-A
0
.
提供SRAM地址，
16
-A
0
为2M和A
17
-A
0
为4M
提供字节模式（ X8 ） SRAM地址输入。当CIO们为V
IL
，在SRAM中
字节模式和SA提供了最显著的地址输入。当CIO们为V
IH
中，
SRAM是在Word模式， SA成为无关引脚。
要在读周期输出数据，并在写周期接收输入数据。
数据在闪存擦除/编程周期内锁定。的输出是在
三态时， OE ＃为高电平或BES1 ＃是高还是BES2低， BEF ＃高。
要激活闪存库时BEF ＃低
DQ
15
-DQ
0
数据输入/输出
BEF ＃
BES1#
BES2
OE ＃
WE＃
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
首席信息官
WP ＃
RST ＃
RY / BY ＃
闪存银行启用
SRAM记忆库启用激活SRAM存储器组时BES1 ＃低
SRAM记忆库启用激活SRAM存储器组时BES2高
OUTPUT ENABLE
写使能
高字节控制（ SRAM ）
低字节控制（ SRAM ）
I / O配置（ SRAM ）
写保护
RESET
就绪/忙＃
到栅极上的数据输出缓冲器
要控制写操作
为了使DQ
15
-DQ
8
为了使DQ
7
-DQ
0
CIO们= V
IH
是字模式（ X16 ） ，首席信息官= V
IL
是字节模式（ X8 ）
为了保护和擦除或编程操作撤消部门
要重置并返回该设备阅读模式
一个编程或擦除操作的输出状态
RY / BY ＃是一个漏极开路输出，所以10KΩ - 100KΩ上拉电阻要求
让RY / BY ＃变为高电平，表示该设备已准备好读。
2.7-3.3V电源闪存只
2.7-3.3V电源为SRAM只
未连接引脚
T2.5 523
V
SS
地
电源供应器（闪存）
电源供应器（ SRAM ）
无连接
V
DD
F
V
DD
S
NC
1. A
MS
=最显著地址
2001硅存储技术公司
S71172-05-000 10/01 523
7
