16兆位并行的SuperFlash + 2/4兆位的SRAM ComboMemory

SST34HF1621 / SST34HF1641

SST34HF1621 / 164116兆CSF （ X16 ） + 2/4 Mb的SRAM （ X16 ） ComboMemories

数据表

产品特点：

闪光灯组织： 1M X16

双银结构的并行

读/写操作

- 16兆位： 12兆位+ 4兆位

SRAM组织：

- 2兆比特： 256K X8或X16 128K

- 4兆位： 512K X8或X16 256K

单2.7-3.3V读写操作

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗：

- 工作电流：25 mA（典型值）

- 待机电流： 20 μA （典型值）

硬件扇区保护（ WP ＃ ）

- 保护4外大部分行业（ 4 KWord的）在

通过举办WP ＃低，取消保护大型银行

通过举办WP ＃高

硬件复位引脚（ RST ＃ ）

- 复位内部状态机读

数据数组

扇区擦除功能

- 统一1 KWord的行业

块擦除功能

- 统一32K字块

读取时间

- 闪光： 70和90纳秒

- SRAM ： 70和90纳秒

锁存地址和数据

快速擦除和字编程：

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）

- 字编程时间： 14 μs（典型值）

- 芯片重写时间：8秒（典型值）

自动写时序

=内部

V

PP

GENERATION

检测写操作结束的

- 触发位

- 数据＃投票

=就绪/忙＃引脚

CMOS I / O兼容性

JEDEC标准命令集

符合通用闪存接口

（ CFI ）

封装

- 56球LFBGA （8毫米X 10毫米）

产品说明

该SST34HF1621 / 1641 ComboMemory设备英特

篦1M x16的CMOS闪存银行有256K ×8 /

128K X16或X8 512K / 256K x16的CMOS SRAM存储器

银行在一个多芯片封装（ MCP ） 。这些设备是

采用SST专有的，高性能的制作

CMOS SuperFlash技术结合了分裂栅

单元设计和厚氧化层隧穿注入，以获得更好的

可靠性和可制造性与替代比较

的方法。该SST34HF1621 / 1641器件可理想用于

应用，如蜂窝电话， GPSS ，PDA和

在低功耗和小其他便携式电子设备

外形制度。

该SST34HF1621 / 1641采用了双闪存库

体系结构允许的并发操作

2闪速存储器区块和SRAM中。该设备可以

读无论从银行，而擦除或编程数据

操作是在对岸进展。这两个闪光

内存块被划分为4兆，12兆与

用于存储引导顶部或底部扇区保护方案

代码，程序代码，配置/参数数据，并

用户数据。

2001硅存储技术公司

S71172-05-000 10/01

523

1

SuperFlash技术提供固定的擦除和亲

克倍，独立擦除的数量/程序

已经发生的周期。因此，系统软件

或硬件没有被修改或降额，是

必要时与其他闪存技术，其

擦除和编程累积次数的增加

擦除/编程周期。该SST34HF1621 / 1641设备

提供了10,000次保证续航能力。数据

保留的额定功率为100年以上。凭借高性

formance字编程，闪存银行提供

14微秒的典型字编程时间。整个flash

记忆库可以被擦除和编程字逐

字通常为8秒的SST34HF1621 / 1641 ，

使用界面功能，如翻转位或数据＃当

投票指示完成程序操作。对

防止意外闪存写入时， SST34HF1621 /

1641器件包含片上硬件和软件数据

保护方案。

在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

并行的SuperFlash和ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

规格若有变更，恕不另行通知。