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16兆位并行的SuperFlash + 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1621 / SST34HF1641
数据表
闪存和SRAM作为两个独立的内存
银行与各银行的使能信号。内存
银行的选择是由两个银行的使能信号完成的。该
SRAM存储器使能信号， BES1 ＃和BES2 ，选择
SRAM银行。闪速存储器组使能信号， BEF ＃
必须与软件数据保护（ SDP ）的COM使用
控制擦除和编程命令时，顺序
操作在闪速存储器区块。存储器区块
被叠加在相同的存储器地址空间
他们有着共同的地址线，数据线， WE＃
和OE ＃这最大限度地降低功耗和面积。
总线争用被淘汰的设备将无法识别
nize银行既能够作为被同时激活。
设计，制造和测试应用程序的要求还
荷兰国际集团的低功耗和小尺寸，将SST34HF1621 /
1641顷提供在商业和扩展temper-
atures和小尺寸封装，以满足电路板空间
约束要求。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
TATE
T
ABLE
FL灰
银行1
读
写
写
无操作
写
无操作
2银行
写
读
无操作
写
无操作
写
SRAM
无操作
无操作
读
读
写
写
注意：
此表的目的，写入装置，以块擦除，扇区，
或芯片擦除，或字编程适用于
合适的银行。
Flash读操作
在SST34HF1621 / 1641的读操作
通过BEF ＃和OE ＃控制，既要低
该系统以获得从所述输出数据。 BEF ＃是
用于设备的选择。当BEF ＃为高时，
芯片被取消，只有待机功耗所配置
SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极
从输出管脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时，无论BEF ＃或OE ＃为高电平。
请参阅进一步的读周期时序图
详细信息（图6）。
设备操作
该SST34HF1621 / 1641使用BES1 ＃ ， BES2和BEF ＃为
无论是闪存或SRAM存储器的控制操作
银行。当BEF ＃为低电平时，闪光灯银行为激活
读取，编程或擦除操作。当BES1 ＃为低电平，
和BES2高的SRAM是用于读取和激活
写操作。 BEF ＃和BES1 ＃不能在低的水平，
和BES2不能处于高电平的同时。如果所有的
银行的使能信号有效，总线争用会导致
并且设备可能遭受永久性损坏。所有地址，
数据和控制线由闪存和SRAM共享
记忆库，最大限度地减少功耗和
装载。该器件进入待机状态时， BEF ＃和
BES1 ＃银行能够提高到V
IHC
（逻辑高电平）或
当BEF ＃为高电平并且BES2低。
闪字编程操作
该SST34HF1621 / 1641顷编程在字逐
字的基础。项目运作之前，内存必须
首先擦除。在编程操作包括三个
步骤。第一步是为三字节序列载荷
软件数据保护。第二步骤是要加载字
地址和文字数据。在字编程操作
化，该地址被锁存，下降沿或者
BEF ＃或WE ＃ ，最后的为准。该数据被锁存
上的任一BEF ＃或WE ＃的上升沿，取
先发生。第三步是内部编程操作
这是在第4个WE＃上升沿启动或
BEF ＃ ，以先到为准。编程操作，一旦
开始，将在10微秒通常完成。参见图 -
URES 7,8 WE ＃和BEF ＃控制的程序操作
化时序图和图21的流程图。中
程序运行时，唯一有效的读操作是数据＃ Poll-
荷兰国际集团和切换位。在内部编程操作，
主机可以自由地执行其他任务。任何命令
内部编程操作期间发出的被忽略。
并行读/写操作
的SST34HF1621 / 1641装置的双行架构
允许并行读/写操作，从而在
用户可以从一个银行的同时读取编程或擦除的
其他银行。该操作时，可以使用该用户
需要读取系统代码在一家银行，同时更新
在其他银行的数据。图1所示为双行内存
组织。
2001硅存储技术公司
S71172-05-000 10/01 523
2
