16兆位并行的SuperFlash + 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1621 / SST34HF1641
数据表
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略或
擦除操作。参见表4软件命令
码，图16为时序波形和图23的
流程图。
取消和器件进入待机状态。阅读和
写周期时间相等。控制信号瑞银＃
和LBS ＃提供访问上的数据字节，
下一个数据字节。见SRAM读表3和写入
操作数据字节的控制模式。
SRAM读
在SST34HF1621 / 1641的SRAM读操作
通过OE ＃和BES1 ＃控制的，既要低，
WE＃和BES2高的系统，以获得从所述数据
输出。 BES1 ＃和BES2用于SRAM的银行selec-
化。 OE＃为输出控制，并从用于门数据
的输出引脚。数据总线处于高阻抗状态
当OE ＃为高电平。请参见读周期时序图，
图3 ，了解更多详情。
SRAM操作
随着BES1 ＃低， BES2和BEF ＃高，
SST34HF162x操作为256K ×8或128K x16的CMOS
SRAM和所述SST34HF164x操作为512K ×8或
256K X16 CMOS SRAM ，具有完全静态操作要求还
荷兰国际集团无需外部时钟或定时选通。的首席信息官销
配置SRAM为x8或x16 SRAM操作
模式。该SST34HF162x SRAM被映射到
该装置的第一个256 K字节/ 128 KWord的地址空间，
和SST34HF164x SRAM被映射到所述第一
512 K字节/ 256 KWord的地址空间。当BES1 ＃ ，
BEF ＃高， BES2低，所有的存储都
SRAM写
在SST34HF1621 / 1641的SRAM写操作
由WE ＃和BES1 ＃控制的，既要低， BES2
必须要高，以便系统写入到SRAM中。中
字写操作，地址和数据REF-
所引用，以任BES1 ＃的上升沿， WE＃ ，或
落以先到为准BES2的边缘。写入时间
是从BES ＃ 1的最后一个下降沿测量或WE＃或
BES2的上升沿到的BES1 ＃的第一个上升沿，或者
WE＃或BES2的下降沿。参阅在写入周期
时序图，图4和图5中，为进一步的细节。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
AMS - A0
地址
缓冲器
超快闪记忆
（ BANK 1 ）
RST ＃
BEF ＃
WP ＃
SA
LBS ＃
瑞银（UBS） ＃
WE＃
OE ＃
BES1#
BES2
首席信息官
RY / BY ＃
超快闪记忆
（银行2 ）
控制
逻辑
I / O缓冲器
DQ15 - DQ8
DQ7 - DQ0
地址
缓冲器
AMS =最显著地址
2001硅存储技术公司
2兆或4兆
SRAM
523 ILL B1.1
S71172-05-000 10/01 523
5
