MIC5010
麦克雷尔
应用信息
（续）
MIC5010
1禁止
2 NC
3输入
TH
故障14
V+ 13
NC 12
+
+
V =24V
R1=
V+
1mA
控制输入
R
20k
4 Thresh的
C1 11
5感COM 10
6源
C2 9
7 GND
门8
10F
R2=100
100mV+V
I
L
2200
V
旅
–1000
R
S
=
IRF541
100
R2
R
S
18m
IRC 4LPW - 5 *
负载
R
TH
=
旅
对于本例中：
I
L
= 10A （动作电流）
V
旅
=100mV
R1
24k
*国际公司电阻
图3.高边驱动器
与电流分流器
自我保护，以防止感应开关瞬变。能很好地协同
ING关断感性负载将迫使MOSFET的源极
5V或更低于地面，而驾驶员保持栅处
接地电位。 MOSFET被强迫进入导通状态，
和它消耗存储在负载电感中的能量。
该MIC5010源和感测管脚（ 5和6 ）被设计
承受这种负偏移而不损坏。克斯特
纳尔钳位二极管是不必要的，但可以加入到
减少功率耗散在MOSFET 。
分流器
(R
S
） 。低值电阻器是必要的
用于为R
S
.Values的R
S
范围从5到50mΩ以下，在2至
10W 。值得特别一提的是开尔文检测的， “四
由多个制造商提供的终端“单位
.
开尔文检测到的电阻消除由错误造成的
铅和终端电阻，并简化产品assem-
布莱。 10 ％的公差通常是足够的，并与分流
对200mV的热电偶效应的潜力是微不足道的。
温度系数是很重要的;线性，为500ppm / ℃，
变化将在过度贡献多达10％的移
电流跳变点。最大功率电阻器，设计用于电流
分流服务漂移小于100ppm的/ ℃。
用电流检测MOSFET低侧驱动器
（图
4）。一些制造商现在提供功率MOSFET
其中总负载电流的一小部分被分流
一个“意义上的”针。一个额外的引脚，被称为“开尔文源”
包括消除阻力，在效果
源连接线。电流检测MOSFET的试样
田间使用的感测比“S ”，它描述的关系
感测连接的导通电阻和间
主要的源极引脚的身体抵抗力“R” 。电流检测
MOSFET的消除标准要求的电流分流器
的MOSFET。
使用电流的设计方程为一低侧驱动器
感测MOSFET的示于图4中的“S ”被指定在
MOSFET的数据表，和“R”必须测量或
估计。 V
旅
必须小于除R
×
I
L
的，否则
S
将
成为负数。替代的MOSFET具有较高的导通
性，或降低V
旅
科幻XES这个问题。 V
旅
=
建议100至200mV 。虽然负载供应
只有MOSFET评级有限， MIC5010供应
应限制在15V ，以防止损坏的栅极
齐纳钳位。输出钳位是必要的感性
负载。
“R”是MOSFET的身体抵抗力，不包括债券
电阻。
DS （ ON）
作为MOSFET数据表特定网络版
包括债券电阻。开尔文连接欧姆表
（使用TAB和源强迫，和SENSE和
KELVIN用于检测）是评价“R”的最佳方法
可替换地， “R”可以被估计为大的MOSFET
(R
DS （ ON）
≤
为100mΩ ） ，只需减半指出
DS （ ON）
或
通过从所说 - [R减去20至50mΩ的
DS （ ON）
为
较小的MOSFET。
用电流检测MOSFET高侧驱动器
（图
1） 。设计开始通过确定“S”和“ R”的值
为MOSFET （用于低描述的准则
侧面版） 。设V
旅
= 100毫伏，并计算R
S
一
所需的跳闸电流。接着计算R
TH
和R1 。行程
5
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1998年4月
5-95
