MIC5010
麦克雷尔
Q5 。用于第二阶段Q4关断， Q3导通，
推动上述电源引脚C2 （电荷被倾倒进
门） 。 Q3也给C1充电。在第三个阶段Q2关闭
与Q1导通时，推2的公共点
电容上面的电源。一些在C1品牌的电荷
其方式与栅极。重复该顺序通过接通Q2
和Q4回，而Q1和Q3关闭。
在低侧的应用程序运行于12至15V电源，
该MOSFET是由Q5的单独行动全面增强。上
超过约14V ，电流流过的供给
直接从Q5通过齐纳二极管接地。对
防止过大的电流时， MIC5010供给应
在低侧的应用程序被限制到15V。
Q5的动作使MIC5010在快速操作
低端应用。在高端应用Q5
预充电MOSFET的栅极提供，剩下的费用
打气携带门至完全10V以上
供应量。自举高端驱动程序一样快，低
由于芯片供应侧驱动器上面的提升以及
漏处接通。
应用信息
（续）
栅极控制电路
当施加MIC5010 ，它是有助于理解
栅极控制电路的操作（参见图14） 。该
门控电路可以分为两部分： 1）充
泵（振荡器中，Q1 -Q5 ，和电容器）和2）栅极
关断开关（ Q6） 。
当MIC5010处于OFF状态时，振荡器是
截止，从而禁止电荷泵。 Q5还
截止， Q6导通。 Q6保持GATE引脚（ G）
接地电位，可以有效地在外部MOSFET导
FET关断。
Q6被关断时， MIC5010被命令上。 Q5
拉闸门达提供（通过2个二极管） 。接着，将
电荷泵开始供给到栅极的电流。门
接受电荷，直到在栅极 - 源极电压达到12.5V
并且由齐纳二极管钳位。
A 2输出，三相时钟开关Q1 - Q4 ，提供了
准三倍的行动。在初始阶段Q4和Q2是
ON 。 C1是放电，和C2被充电到供给通
V
+
Q3
Q1
125pF
C1
C1
100千赫
振荡器
关闭
ON
Q2
Q4
COM
C2
125pF
C2
Q5
G
500
门钳位
齐纳
12.5V
Q6
S
图14.门控制
电路详细
5-102
1998年4月
