MIC5010
麦克雷尔
在PWM应用的芯片供应实际上是多少
较系统供电，从而提高交换更高
时间。
应用信息
（续）
恒定，并且它模拟的热响应
灯丝。如果灯被脉宽调制，电流
限制将被留在C中的残余电荷减少
TH
.
改变开关时间。
不要添加外部电容
器到其栅极连接到减速开关时间。添加
电阻（ 1kΩ的至51kΩ ）串联在MOSFET导的栅
场效应晶体管来实现这个结果。
外部电容器可在C1和C2加入了更快
切换时间（见框图） 。 100pF的对数值
1nF的产生有用的速度增加。如果组件数量是
关键，C2（销9 10） ，可单独使用，只有很小
相比，使用两个电容器速度的损失。
自举高边驱动器
（图6） 。的速度
高侧驱动器可通过增加至大于10μs的更好
自举电源断MOSFET源。这
拓扑结构可用于在负载是脉冲宽度调制
迟来（ 100Hz至20kHz的），或者在它被激励为仅一个
的时间（ ≤25ms ）短的时间。如果负载为左通电
在很长一段时间（ >25ms ） ，自举电容将
放电和MIC5010电源引脚将下降到V
+
= V
DD
- 1.4 。在这种状态下销5和6将上述保持
V
+
并且可以假触发过电流电路。较大
电容将延长“的”时间最大; 1000μF会
持电路最多2.5秒，但需要更多的电荷
时间时，电路被断开。可选的肖特基
垒二极管提高导通时间上小于用品
10V.
由于在“关”状态，电源电流也只是一个小
泄漏时， 100nF的旁路电容器趋于保持
带电几秒钟后MIC5010截止。
V
DD
= 7 15V
MIC5010
1禁止
2 NC
控制输入
3输入
4 Thresh的
故障14
V+ 13
NC
C1 11
COM 10
C2 9
门8
100
18m
+
R1' V
1mA
1N5817
1N4001 (2)
+
10F
12 100nF的
20k 5
SENSE
6源
7 GND
IRF540
负载
图6.自举
高侧驱动器
电子电路断路器
（图7） 。该MIC5010形式
的高性能的基础上，快速作用的断路器。
通过增加反馈故障输入断路器可以
进行自动复位。如果过流条件
5
12V
12V
100k 100k
100nF
100k
MIC5010
10k
MPSA05
20k
1禁止
2 NC
3输入
4 Thresh的
故障14
V+ 13
NC 12
C1 11
+
10F
5感COM 10
6源
C2 9
7 GND
门8
100
IRFZ40
1N4148
22m
CPSL -3（山谷）
10k
负载
图7. 10安培
电子电路断路器
1998年4月
5-97
