MIC5010
麦克雷尔
为500mV （R
TH
= 3.3kΩ的到20kΩ的） 。阈值在高端
提供最佳的抗噪性能，而且还危及开关
下降（尤其是在低电压应用）和功率
耗散。
跳闸电流设定高于预期的最大
负载电流 - 通常两倍的价值。跳变点精度
是电阻容差的函数，比较器偏移（只有
几毫伏） ，和阈值的偏置电压（V
4
） 。值
在图2所示的设计20的跳闸电流
安培。重要的是要接地针6在电流分流
R
S
，以消除接地电阻的影响。
低侧拓扑的一个重要优点是，上述负载
供水由MOSFET BV只限于
DSS
投资评级。夹式
荷兰国际集团可能需要保护MOSFET漏极端子
从电感式开关瞬变。该MIC5010供应
应限制在15V的低侧的拓扑结构;否则，
大电流通过栅钳位齐纳被迫。
与MIC501X家庭建造低边驱动程序
也快; MOSFET的栅极被驱动为接近供电
时立即吩咐ON 。典型的电路实现
在小于10微秒时在12 15V电源10V增强。
与电流分流器高侧驱动器
（图3） 。该
比较器输入引脚（源和意义上的）浮动的
电流感测电阻器（R
S
）上的负载的顶部。 R1和R2的
加一个小的，附加的电势到V
旅
为防止假
触发过电流关断电路的张开或
感性负载。 R 1的尺寸为为1mA的电流，而
R2的贡献下降为100mV的。分流电压应
200 500mV的在触发点。图3的例子
给出了图10A的跳闸电流时，输出接近电源。该
当输出是接地断路点有所降低
作为R1两端（因而R 2）上的电压降为零。
与MIC501X驱动程序实现的高边驱动程序
应用信息
（续）
剩余的阻力：
在电路的连接电阻
也可能会导致混乱的结果。例如，一个电路
可以采用50mΩ的功率MOSFET的低压降，但
粗心的施工工艺可以轻松地添加50 100
mΩ的电阻。不要使用插座的MOSFET。如果
MOSFET是TO- 220型封装，使高电流
漏极连接选项卡。线路损失有深刻
在高电流电路的影响。浮动毫伏表可以
找出那些造成过多的非降的连接
DER负载。
电路拓扑结构
该MIC5010适合于在高或低侧驱动器使用
具有过电流保护为电流 - 应用
传感和标准的MOSFET 。此外， MIC5010
工作良好的应用中，更快的开关时间，
供应从MOSFET的源极输出自举
放。低电压，高边驱动器（如在所示
测试电路）是最慢的;它们的速度被反映在
门的开启时间规范。最快的车手是
低侧和自举的高边类型。负载电流
开关时间往往比时间快得多，以满
门的提升，这取决于电路的类型，所述
MOSFET和负载。关断时间在本质上是
同样对于所有电路（小于10微秒到V
GS
= 1V ） 。选择
中的一个拓扑超过另一个是基于组合
考虑因素包括速度，电压，以及所希望的系
统的特点。每个拓扑结构在此描述
部分。请注意，我
L
，如在设计方程中使用，是
负载电流只是跳闸过流比较器。
与电流分流器低侧驱动器
（图2） 。在过
电流比较器监测
S
如果我旅行
L
×
R
S
超过
V
旅
. R
TH
被选择，以产生所需的触发电压。
作为一个指导原则，保持V
旅
100mV的范围内，并
V + = 7 15V
V
负载
MIC5010
1禁止
2 NC
控制输入
R
TH
10k
故障14
V+ 13
R
S
=
R
TH
=
负载
V
旅
3输入
NC 12
4 Thresh的
C1 11
5感COM 10
6源
C2 9
7 GND
门8
+
10F
I
L
2200
V
旅
–1000
对于本例中：
IRF540
I = 20A （动作电流）
L
V
旅
= 200mV的
R
S
10m
IRC 4LPW - 5
（阻性国际公司）
图2.与低侧驱动器
分流
5-94
1998年4月
