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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
BUK95150-55A
BUK96150-55A
2.5
VGS （ TO ） / V
马克斯。
5
VGS / V
VDS = 14V
2
典型值。
1.5
分钟。
1
4
VDS = 44V
3
2
0.5
1
0
-100
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
0
5
10
QG / NC
15
20
图11 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
图14 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 25 A;参数V
DS
1E-01
亚阈值传导
100
90
IF / A
80
70
60
1E-02
2%
典型值
98%
1E-03
TJ / C = 150℃
25 C
o
o
50
40
1E-04
30
20
1E-05
10
0
0.0
0.5
1.0
VSDS / V
1.5
2.0
1E-05
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
图12 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
图15 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
WDSS ％
电容/ NF
2.5
120
110
100
90
80
70
60
西塞
2.0
1.5
1.0
50
40
30
0.5
科斯
CRSS
20
10
0
20
40
60
80
100
120
TMB / C
140
160
180
0.0
0.01
0.1
1
VDS / V
10
100
图13 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
图16 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
mb
） ;条件：我
D
= 75 A
2000年2月
5
启1.000
