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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式的逻辑
在水平场效应功率晶体管
塑料外壳可用
TO220AB和SOT404 。运用
“沟”技术，其特点
非常低的导通状态电阻。这是
旨在用于汽车和
一般
用途
开关
应用程序。
BUK95150-55A
BUK96150-55A
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
马克斯。
55
13
53
175
150
137
单位
V
A
W
C
m
m
钉扎
TO220AB & SOT404
针
1
2
3
描述
门
漏
2
引脚配置
mb
TAB
符号
d
g
3
SOT404
1 2 3
来源
1
标签/ MB漏
TO220AB
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
±V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
非重复性的栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
t
p
≤50S
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
10
15
13
9
53
53
175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
ambient(TO220AB)
热阻结到
ambient(SOT404)
条件
-
在自由空气
最小的足迹， FR4
板
典型值。
-
60
50
马克斯。
2.8
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
2000年2月
1
启1.000
