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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 13 A
V
GS
= 10 V ;我
D
= 13 A
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 13 A
T
j
= 175C
T
j
= 175C
分钟。
55
50
1
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
BUK95150-55A
BUK96150-55A
典型值。
-
-
1.5
-
-
0.05
-
2
125
-
116
124
马克斯。
-
-
2.0
-
2.3
10
500
100
150
300
137
161
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
m
m
m
m
动态特性
T
mb
= 25 ° C除非另有说明
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
d
L
s
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
254
54
42
6
285
1
18
4.5
3.5
2.5
7.5
马克斯。
339
65
58
6
428
1.4
25
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
nH
V
DD
= 30 V ;
负载
=1.2;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从螺丝接触测量
标签，模具中心（ TO220AB ）
从排的上边缘测量
标签，模具中心（ SOT404 ）
从测得的源导致
源焊盘
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 53 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 53 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.85
1.1
24
0.026
马克斯。
13
53
1.2
-
-
-
单位
A
A
V
V
ns
C
2000年2月
2
启1.000
