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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
BUK95150-55A
BUK96150-55A
100
ID / A 90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
VGS / V =
10.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.8
4.4
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
70
ID / A
60
50
40
30
25 C
20
10
0
o
TJ / C = 175℃
o
4
VDS / V
6
8
10
0
1
2
3
VGS / V
4
5
6
7
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
图8 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
40
25
GFS / S
20
35
15
VGS / V =
30
3.0
3.2
3.4
3.6
4.0
5.0
10
25
5
0
20
0
0
10
20
30
5
10
15
ID / A
20
25
30
35
ID / A
40
50
60
70
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
图9 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
RDS（ON）标准化为25degC
33
32
31
30
29
28
27
26
25
3
a
2.5
2
1.5
1
24
23
22
0.5
3
4
5
6
ID / A
7
8
9
10
-100
-50
0
50
100
TMB /摄氏度
150
200
图7 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（V
GS
） ;条件：我
D
= 13 A;
图10 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
2000年2月
4
启1.000
