飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式的逻辑
在水平场效应功率晶体管
适用于表面的塑料封套
安装应用程序。
该装置适用于在使用中
开关电源
（SMPS） ，电机控制，焊接
的DC / DC和AC / DC转换器，并在
汽车和通用
开关应用。
BUK562-100A
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力;
V
GS
= 5 V
马克斯。
100
10
60
175
0.28
单位
V
A
W
C
钉扎 - SOT404
针
1
2
3
mb
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
mb
符号
d
g
2
1
3
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
±V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
非重复性的栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
储存温度
结温
条件
-
R
GS
= 20 k
-
t
p
≤
50
s
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
马克斯。
100
100
15
20
10
7
40
60
175
175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
C
C
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
分钟。
-
最小的足迹，
FR4电路板（参照图18）。
-
典型值。马克斯。
-
50
2.5
-
单位
K / W
K / W
1996年2月
1
启1.000
