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飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式的逻辑
在水平场效应功率晶体管
适用于表面的塑料封套
安装应用程序。
该装置适用于在使用中
开关电源
（SMPS） ，电机控制，焊接
的DC / DC和AC / DC转换器，并在
汽车和通用
开关应用。
BUK562-100A
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力;
V
GS
= 5 V
马克斯。
100
10
60
175
0.28
单位
V
A
W
C
钉扎 - SOT404
针
1
2
3
mb
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
mb
符号
d
g
2
1
3
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
±V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
非重复性的栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
储存温度
结温
条件
-
R
GS
= 20 k
-
t
p
≤
50
s
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
马克斯。
100
100
15
20
10
7
40
60
175
175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
C
C
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
分钟。
-
最小的足迹，
FR4电路板（参照图18）。
-
典型值。马克斯。
-
50
2.5
-
单位
K / W
K / W
1996年2月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 C
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
=125 C
V
GS
=
±15
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 5.5 A
分钟。
100
1.0
-
-
-
-
BUK562-100A
典型值。
-
1.5
1
0.1
10
0.25
马克斯。
-
2.0
10
1.0
100
0.28
单位
V
V
A
mA
nA
动态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
s
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 5.5 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V ;我
D
= 3 A;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
R
根
= 50
从排的上边缘测量
标签，模具中心
从源极引脚测
焊接点源焊盘
分钟。
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
6
400
90
35
12
45
50
30
2.5
7.5
马克斯。
-
600
120
50
18
70
70
45
-
-
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
反向二极管极限值和特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
-
-
I
F
= 10 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 10 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.2
90
0.35
马克斯。
10
40
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
C
雪崩限值
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 10 A; V
DD
≤
50 V ;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
30
单位
mJ
1996年2月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
BUK562-100A
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
1E+01
第i个J- MB / （K / W）
BUKX52
1E+00
0.5
0.2
0.1
0.05
1E-01 0.02
0
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
1E-02
1E-07
T
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
1E+01
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
ID / A
VGS / V =
15
10
BUK552-100A
7
5
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
20
10
4
5
3
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0
0
2
4
VDS / V
6
8
10
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
ID / A
ID
S/
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /欧姆
3
3.5
4
VGS / V =
4.5
0.6
5
7
0.4
10
0.2
BUK552-100A
100
BUK552-100
A
1.0
10
RD
)=
ON
S(
VD
0.8
TP = 10我们
100美
DC
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
0.1
1
10
VDS / V
0
100
0
2
4
6
8
10 12
ID / A
14
16
18
20
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1996年2月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
BUK562-100A
20
ID / A
TJ / C =
25
BUK552-100A
150
2
VGS （ TO ） / V
马克斯。
15
典型值。
10
1
分钟。
5
0
0
2
4
VGS / V
6
8
0
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
GFS / S
BUK 552-100A
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
ID / A
亚阈值传导
6
5
4
1E-01
1E-02
2%
98 %
1E-03
典型值
3
1E-04
2
1
0
0
2
4
6
8
10 12
ID / A
14
16
18
20
1E-05
1E-06
0
0.4
0.8
1.2
VGS / V
1.6
2
2.4
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
a
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
C / pF的
BUK5y2-100
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10000
1000
西塞
100
科斯
CRSS
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
10
0
20
VDS / V
40
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 5.5 A; V
GS
= 5 V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1996年2月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
BUK562-100A
12
10
8
6
4
2
0
VGS / V
BUK552-100
VDS / V = 20
120
110
100
90
80
WDSS ％
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
QG / NC
12
14
16
20
40
60
80
100
120
TMB / C
140
160
180
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 10 A;参数V
DS
IF / A
BUK552-100A
图15 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
mb
） ;条件：我
D
= 10 A
20
+
L
15
VDD
VDS
10
TJ / C = 150
5
25
VGS
0
RGS
T.U.T.
-
-ID/100
R 01
分流
0
0
1
VSDS / V
2
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
图16 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
1996年2月
5
启1.000
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B43508E2228M060
B41866C8107M001
B39212-B7728-K910
BYD17M/T1
B45198R2157K506
BYW51200
BYW51-200
B82796C0474N215
B82796-C0474-N215
BA2904SFV-E2
BUK445-100A
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    -
    -
    -
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