飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 C
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
=125 C
V
GS
=
±15
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 5.5 A
分钟。
100
1.0
-
-
-
-
BUK562-100A
典型值。
-
1.5
1
0.1
10
0.25
马克斯。
-
2.0
10
1.0
100
0.28
单位
V
V
A
mA
nA
动态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
s
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 5.5 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V ;我
D
= 3 A;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
R
根
= 50
从排的上边缘测量
标签，模具中心
从源极引脚测
焊接点源焊盘
分钟。
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
6
400
90
35
12
45
50
30
2.5
7.5
马克斯。
-
600
120
50
18
70
70
45
-
-
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
反向二极管极限值和特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
-
-
I
F
= 10 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 10 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.2
90
0.35
马克斯。
10
40
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
C
雪崩限值
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 10 A; V
DD
≤
50 V ;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
30
单位
mJ
1996年2月
2
启1.000
