飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
BUK562-100A
20
ID / A
TJ / C =
25
BUK552-100A
150
2
VGS （ TO ） / V
马克斯。
15
典型值。
10
1
分钟。
5
0
0
2
4
VGS / V
6
8
0
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
GFS / S
BUK 552-100A
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
ID / A
亚阈值传导
6
5
4
1E-01
1E-02
2%
98 %
1E-03
典型值
3
1E-04
2
1
0
0
2
4
6
8
10 12
ID / A
14
16
18
20
1E-05
1E-06
0
0.4
0.8
1.2
VGS / V
1.6
2
2.4
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
a
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
C / pF的
BUK5y2-100
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10000
1000
西塞
100
科斯
CRSS
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
10
0
20
VDS / V
40
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 5.5 A; V
GS
= 5 V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1996年2月
4
启1.000
