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HYS64D64020GBDL–[5/6/7/8]–B
小外形封装DDR SDRAM模块
AC特性
4
表10
参数
AC特性
AC时序 - 绝对规格-8 / -7
符号
–8
DDR200
分钟。马克斯。
分钟。
–7
DDR266A
马克斯。
–0.75 +0.75
–0.75 +0.75
0.45
0.45
7
7
7.5
—
0.5
0.5
2.2
1.75
0.55
0.55
12
12
12
—
—
—
—
—
单位注/
测试Conditio
n
1)
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
t
AC
从CK / CK DQS输出访问时间
t
DQSCK
CK高电平宽度
t
CH
CK低电平宽度
t
CL
时钟半周期
t
HP
时钟周期时间
t
CK3
t
CK2.5
t
CK2
t
CK1.5
DQ和DM输入保持时间
t
DH
DQ和DM输入建立时间
t
DS
控制和地址。输入脉冲宽度（每个输入）
t
IPW
DQ和DM输入脉冲宽度（每个输入）
t
DIPW
从CK / CK数据输出高阻抗的时间
t
HZ
从CK / CK数据输出低阻抗时间
t
LZ
写命令1
st
DQS闭锁过渡
t
DQSS
DQS -DQ歪斜（ DQS和DQ相关
t
DQSQ
从CK / CK DQ输出访问时间
信号）
数据保持倾斜因子
DQ / DQS输出保持时间
–0.8 +0.8
–0.8 +0.8
0.45 0.55
0.45 0.55
8
8
10
10
0.6
0.6
2.5
2.0
12
12
12
12
—
—
—
—
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。 （
t
CL
,
t
CH
）分钟。 （
t
CL
,
t
CH
） NS
CL = 3.0
2)3)4)5)
CL = 2.5
2)3)4)5)
CL = 2.0
2)3)4)5)
CL = 1.5
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)6)
2)3)4)5)6)
2)3)4)5)7)
2)3)4)5)7)
2)3)4)5)
–0.8 +0.8
–0.8 +0.8
0.75 1.25
—
—
+0.6
1.0
—
–0.75 +0.75
–0.75 +0.75
0.75
—
—
1.25
+0.5
0.75
t
CK
ns
ns
ns
TFBGA
2)3)4)5)
TFBGA
2)3)4)5)
2)3)4)5)
t
QHS
t
QH
t
HP
–
t
HP
– —
t
QHS
0.35
0.2
0.2
2
0
0.40
0.25
0.9
1.0
0.9
1.0
—
—
—
—
—
0.60
—
—
—
—
—
t
QHS
t
DQSL ，H
0.35 —
DQS下降沿到CK建立时间（写周期）
t
DSS
0.2 —
DQS下降沿持有CK时间（写
t
DSH
0.2 —
DQS输入低（高）脉冲宽度（写周期）
循环）
模式寄存器设置命令周期时间
写序言建立时间
写后同步
写序言
地址和控制输入建立时间
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
t
MRD
t
WPRES
t
WPST
t
WPRE
t
IS
2
0
—
—
2)3)4)5)
2)3)4)5)8)
2)3)4)5)9)
2)3)4)5)
0.40 0.60
0.25 —
1.1
1.1
—
—
—
—
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
快速压摆率
3)4)5)6)10)
慢转换速率
3)4)5)6)10)
地址和控制输入保持时间
t
IH
1.1
1.1
快速压摆率
3)4)5)6)10)
慢转换速率
3)4)5)6)10)
数据表
16
V1.0, 2003-08
