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HYS64D64020GBDL–[5/6/7/8]–B
小外形封装DDR SDRAM模块
AC特性
表11
参数
AC时序 - 绝对规格-6 / -5
（续）
符号
分钟。
地址和控制输入建立时间
–6
DDR333
马克斯。
—
—
分钟。
0.6
0.7
–5
DDR400B
马克斯。
—
—
ns
ns
快速压摆率
3)4)5)6)10)
单位
注/测试
条件
1)
t
IS
0.75
0.8
慢速回转
率
3)4)5)6)10)
地址和控制输入保持时间
t
IH
0.75
0.8
—
—
0.6
0.7
—
—
ns
ns
快速压摆率
3)4)5)6)10)
慢速回转
率
3)4)5)6)10)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
t
RPRE
阅读后同步
t
RPST
至预充电命令
t
RAS
要积极主动/自动刷新命令
t
RC
阅读序言
期
自动刷新主动/自动刷新
指令周期
ACTIVE读取或写入延迟
预充电命令期
主动到Autoprecharge延迟
活跃银行A到有效的银行B
命令
写恢复时间
自动预充电写恢复+
预充电时间
内部写读命令延迟
0.9
0.40
42
60
72
18
18
18
12
15
1.1
0.60
70E+3
—
—
—
—
—
—
—
0.9
0.40
40
55
65
15
15
15
10
15
1.1
0.60
70E+3
—
—
—
—
—
—
—
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RFC
t
RCD
t
RP
t
RAP
t
RRD
t
WR
t
DAL
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)11)
t
CK
1
75
200
—
—
—
—
7.8
1
75
200
—
—
—
—
7.8
t
WTR
退出自刷新非读命令
t
XSNR
退出自刷新读取命令
t
XSRD
平均周期刷新间隔
t
REFI
t
CK
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)12)
t
CK
s
1) 0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
C
; V
DDQ
= 2.5 V
±
0.2 V,
V
DD
= +2.5 V
±
0.2 V （ DDR333 ） ;
V
DDQ
= 2.6 V
±
0.1 V,
V
DD
= +2.6 V
±
0.1 V
(DDR400)
2 ）输入转换率
≥
1 V / ns的为DDR400 ， DDR333
3）将CK / CK输入参考电平（用于定时参考CK / CK）为在该点CK和CK横：输入参考
比CK / CK等信号水平，是
V
REF
。 CK / CK摆率
≥
1.0 V / ns的。
4 ）输入无法识别为有效，直到
V
REF
稳定。
5）输出定时基准电平，如在AC特性指示的定时基准点测量（注3）是
V
TT
.
6 ）这些参数保证设备定时，但它们不必在每台设备上进行测试。
7)
t
HZ
和
t
LZ
转换发生在相同的访问时间窗作为有效数据的转换。这些参数未提及
到一个特定的电压电平，但指定当该装置已不再是驱动（HZ） ，或者开始驱动（LZ） 。
8 ）的具体要求是， DQS有效（高，低，或对一些有效的过渡或在此CK边缘前点） 。
一个有效的过渡被定义为单调的，并满足该设备的输入端电压变化率规范。当没有被写入
以前在总线上的进步， DQS将过渡给Hi -Z为逻辑低电平。如果先前写在进步，
DQS可以是高，低，或转换从高电平变为低电平，此时，根据
t
DQSS
.
数据表
19
V1.0, 2003-08
