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OneNAND512/OneNAND1GDDP
1.产品特点
架构
设计技术： 0.12um
电源
- 1.8V器件（ KFG1216Q2M ） ： 1.7V 1.95V
- 2.65V设备（ KFG1216D2M ） ： 2.4V 2.9V
- 3.3V器件（ KFG1216U2M ） ： 2.7V 3.6V
组织
- 主机接口： 16位
内部BufferRAM （ 5K字节）
- 1KB的BootRAM ， 4KB的DataRAM
NAND阵列
- 页面大小： （ 2K + 64 ）字节
- 块大小： （ 128K + 4K ）字节
FL灰内存
性能
主机接口类型
- 同步突发读
：时钟频率：高达54MHz的
：线性突发 - 4 ， 8 ， 16 ， 32个字有环绕式
：连续顺序突发（ 1K字）
- 异步随机读
： 76ns的存取时间
- 异步随机写入
可编程只读延迟
多扇区读
- 读取多个部门按行业计数寄存器（最多4个扇区）
复位模式
- 冷复位/热复位/热启动/ NAND闪存复位
功耗（典型值）
- 待机电流： 10uA@1.8V ， 20uA@2.65V/3.3V单， 20uA@1.8V ， 40uA@2.65V/3.3V的DDP
- 同步突发读取电流（ 54MHz的） ： 12mA@1.8V设备， 20mA@2.65V/3.3V设备
- 负载电流： 20mA@1.8V设备， 25mA@2.65V/3.3V设备
- 程序电流： 20mA@1.8V设备， 25mA@2.65V/3.3V设备
- 擦除电流： 15mA@1.8V设备， 20mA@2.65V/3.3V设备
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
硬件特性
电压检测器产生从Vcc内部复位信号
硬件复位输入（ RP ）
数据保护
- 写保护BootRAM
- 写保护模式NAND闪存阵列
- 在上电期间写保护
- 在掉电写保护
用户控制的一次性可编程（ OTP ）区域
内部2位EDC / ECC 1位
内部的Bootloader引导支持解决方案系统
软件特点
握手功能
- INT引脚：表示就绪/忙的OneNAND的
- 轮询方法：提供了检测的OneNAND的Ready / Busy状态软件的方法
通过ID寄存器芯片的详细信息
包装
包
- 63ball ， 9.5毫米x 12毫米X最大1.0mmt ，球间距为0.8mm FBGA
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