位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第137页 > KFG1G16U2M-DEB > KFG1G16U2M-DEB PDF资料 > KFG1G16U2M-DEB PDF资料1第10页
OneNAND512/OneNAND1GDDP
释义
B（大写）
W（大写）
B（小写字母）
ECC
计算出的ECC
写ECC
BufferRAM
BootRAM
DATARAM
内存
扇形
字节， 8位
总之， 16位
位
FL灰内存
纠错码
已在负载或程序的访问被计算ECC
已经被存储在NAND快闪存储器阵列，或在BufferRAM数据ECC
芯片内部缓冲区组成BootRAM和DataRAM的
在BufferRAM预留作引导代码缓冲的1KB部分
在BufferRAM的4KB部分预留数据缓冲
NAND闪存阵列的其中已经被嵌入上的OneNAND
页面的部分单元，其中大小为512B为主要区域和16B用于备用区数据。
它是最小负载/程序/复制回程序单元，而一个 4部门操作
化可
可能的数据单元，用于从存储器读出到BufferRAM或要被编程到MEM-
ORY 。
- 528B ，其中512B是主要区域和16B的备用区
- 1056B ，其中1024B是在主要区域和32B的备用区
- 1584B ，其中1536B是在主要区域和48B的备用区
- 2112B ，其中2048B是在主要区域和64B的备用区
数据单元
10
