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OneNAND512/OneNAND1GDDP
文档标题
OneNAND闪存
FL灰内存
修订历史
修订历史号
0.4
1.更正勘误表
详细2.增加了备份的分配信息
3.增加NAND阵列存储器映射
4.增加了制造商ID为CS为00ECh
5.增加步进编号为CS版本ID寄存器
中断状态寄存器由温，热复位6分的默认状态，并
冷复位
7.修正负荷运行流程图
8.修改后的方案操作流程图
在复制回操作9.删除DBS设置步骤
10.新增OTP介绍
11.修订OTP加载和程序流程图
12.新增INT指导
13. ECC说明修订
14.增加了数据保护方案在掉电
15.新增DC / AC参数
草案日期
2004年6月22日
备注
初步
1.0
1.删除2.7V产品
2004年8月5日
2.增加了2.65V的产品
在3.3V的产品3.增加了3.3V的产品和工业温度
4.删除解锁/锁定BootRAM命令
在复制回操作5.增加DBS设置步骤
6.增加2.65V / 3.3V直流参数
从9ns到7ns的7修传统文化表现形式
8.删除TOEH异步读取操作
9.修正由每各主，备用4次在一个页面的2倍NOP
每个扇区
10.修订的写保护状态描述
11.新增DDP的选择和操作指导
12.新增1Gb的DDP设备ID
在冷复位操作13.新增INT位状态
在所有的流输入命令之前14动了中断寄存器的设置
图表
15.修双操作图
16.新增和修订的异步读操作时序图
17.修改了异步写操作时序图
18.增加了TREADY参数热复位操作
1.修改待机电流为DDP
1.更正DDP设备ID
2.排除商业级温度范围
3.修订冷复位时序图
4.增加了CE和RDY在热复位图
5.排除写入，同时装载和读取，而程序运行
6.修订扩展温度最小值为-25 -30
7.修正典型TOTP ， TLOCK从300US为600us
8.修订最大TOTP ， TLOCK从600us到1000US
9.修订ICC4 ， ICC5测试条件
10.增加了耐用性和数据保留
2004年8月26日
2004年10月26日
最终科幻
1.1
1.2
最终科幻
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