位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第234页 > KFG1G16U2M-DIB > KFG1G16U2M-DIB PDF资料 > KFG1G16U2M-DIB PDF资料1第3页
OneNAND512/OneNAND1GDDP
文档标题
OneNAND闪存
FL灰内存
修订历史
修订历史号
0.0
0.0.1
首次发行。
草案日期
2004年1月7日
备注
初步
初步
1.添加"Invalid块management"和"Error管理，读取和2004年1月29日
写operation"
2.添加在解决了程序操作的限制。
3.添加异步写入并锁定异步写模式时序
图。
在异步写模式4.Define新参数。
-tCH1 ：为10ns ， TCH2 ：为0ns
1.添加的双重运行图。
2.添加块替换图
1.编辑块替换图
2.添加3.3V的产品。
1.排除缓存程序操作
2.添加了说明下面的操作
- 。重置
- 。写保护
- 。突发读取延迟
- 。双操作
- 。无效块定义和鉴别方法
- 。在读或写操作错误
- 。 ECC
3.修订程序顺序
4.一些AC参数改变。
TACH ： 9ns - >7ns ，传统文化表现形式： 7ns的 - >9ns ， tAAVDS ：为5ns - >7ns
TDS ： 30ns的 - >10ns ， TDH ：为0ns - >4ns
5.定义新的AC参数。
tAWES （在异步写模式AVD低的情况下，地址保持时间）
分钟。为0ns
1.更正勘误
封装焊球节距进行修正。
0.5毫米--> 0.8毫米
2.编辑爆裂的时序图读环绕（图23,24）
2004年1月30日
0.0.2
初步
0.0.3
2004年2月3日
初步
0.1
Feb.11 ， 2004年
初步
0.1.1
Mar.9 ， 2004年
初步
0.2
0.3
1. 2.7V器件的规格被添加。
1. 3.3V器件的规格被删除。
2.修正了一些错别字。
2004年3月22日
2004年3月31日
初步
初步
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
3
