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256MB / 512MB （ 64 ）
168针SDRAM DIMM的
笔记
1.所有电压参考V
SS
.
2.该参数进行采样。 V
DD
, V
DDQ
= +3.3V;
T
A
= 25°C ;被测偏置在1.4引脚; F = 1兆赫。
3.国际长途依赖于输出负载和周期
率。指定的值与微型获得
妈妈循环时间和输出打开。
4.启用芯片刷新和地址计数器。
5.最小规格仅用于
显示循环时间在该正常运行
在整个温度范围内保证（COM-
商用温度：0°C
T
A
+ 70°C和工业
试验温度： -40°C
T
A
+85
°
C).
6.为100μs的初始暂停后电是必需的，
跟着两个自动刷新命令之前，
器件正常工作的保证。 （V
DD
和V
DDQ
必须同时通电。 V
SS
和V
SSQ
必须在相同的电势。）两个自动刷新
命令唤醒，应重复任何时间
在TREF刷新的要求超出。
7. AC特性假设
t
T为1ns的。
8.除了满足升学率specifi-
阳离子，时钟和CKE必须与运输
V
IH
和V
IL
（或V之间
IL
和V
IH
）中的单
进补方式。
9.输出在1.5V与等效负载测量：
Q
50pF
10.
t
HZ定义时间，当输出达到
开路状态;它不是一个参考
V
OH
或V
OL
。最后一个有效数据元素将满足
t
睡前高阻OH 。
11.交流的时间和我
DD
测试有V
IL
= 0V和V
IH
=
3V ，与参考1.5V交叉点时间。
如果输入的过渡时间比1ns的时间越长，
然后定时被引用在V
IL
（最大值）和V
IH
（MIN）和不再在1.5V的交叉点。
12.其他的输入信号被允许转换无
每两个时钟周期一次以上，并且其它 -
明智的有效V
IH
或V
IL
的水平。
13. I
DD
规格测试后的设备是
正确初始化。
14.定时实际上是由指定的
t
中正;时钟（多个）试样
田间作为仅在最小循环速率的基准。
15.定时实际上是由指定的
t
WR加
t
RP ;时钟（多个）
指定为唯一的最小周期参考
率。
16.定时实际上是由指定的
t
WR 。
17.需要的时钟是由JEDEC规定的功能 -
先进而精湛并且不依赖于任何定时参
安静。
18.我
DD
电流将增加或减少比例
根据频率的量倚重
变更为测试条件。
19.地址转换平均一过渡每次
两个时钟。
20. CLK的必须进行切换的最小的2倍
在这个期间。
21.基于
t
CK = 10ns的为-10E ，和
t
CK = 7.5ns的 -
133和-13E 。
22. V
IH
过冲： V
IH
（MAX） = V
DDQ
+ 2V的脉冲
宽度
为3ns ，脉冲宽度不能
超过三分之一的周期率。 V
IL
理解
射击： V
IL
（MIN） = -2V的脉冲宽度
3ns.
23.时钟频率必须保持不变（稳定
时钟被定义为内部定时信号自行车
期间的时钟引脚指定的约束）
访问或预充电状态（读，写， includ-
ING
t
WR和PRECHARGE命令）。 CKE可能
被用于降低数据速率。
只有24自动预充电模式。预充电时间
预算（
t
RP）开始为7ns的-13E ; 7.5ns的-133
和为7ns为-10E第一时钟延迟后，后
被执行的最后写道。不得超过上限
设置预充电模式。
25只预充电模式。
26. JEDEC和PC100指定三个时钟。
27.
t
AC为-133 / -13E在CL = 3 ，无负载4.6ns
并通过设计保证。
28.参数保证了设计。
29.所述的值
t
RAS使用-13E速度等级MOD-
ULE浪涌保护器是由计算
t
RC -
t
RP =为45nS 。
30. -10E ，CL = 2和
t
CK = 10ns的;为-133 ， CL = 3
和
t
CK = 7.5ns ;为-13E ，CL = 2和
t
CK = 7.5ns 。
31. CKE是在刷新命令时期HIGH
t
RFC （ MIN ）其他CKE低。在我
DD
6限值是
实际上是一个标称值，并且不导致
失败的价值。
32.漏电数量反映了最坏的情况下泄露
可以通过模块引脚，不是每个
存储设备的贡献。
33.漏电数量反映了最坏的情况下泄露
可以通过模块引脚，不是每个
存储设备的贡献。
32,64梅格×64 SDRAM DIMM的
SD8_16C32_64x64AG_C.fm - 版本C 11/02
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