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256MB / 512MB （ 64 ）
168针SDRAM DIMM的
绝对最大额定值
强调以上这些，可能会对perma-
新界东北损坏设备。这是一个额定值，
该器件在这些或任何和功能操作
上述其他条件下的操作说明
在V电压
DD
, V
DDQ
供应
相对于V
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1V至+ 4.6V
在输入NC或I / O引脚电压
相对于V
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1V至+ 4.6V
工作温度
T
A
（商业） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .. 0 ° C至+ 70°C
T
A
（工业级） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .. -40 ° C至+ 85°C
本规范的tional部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
存储温度（塑料） 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 150°C
功耗， 256MB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8W
功耗， 512MB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16W
表10 ： DC电气特性和操作条件 - 256MB模块
注：1 ，5，6 ;注释出现第17页; V
DD
, V
DDQ
= +3.3V ±0.3V
参数/条件
电源电压
输入高电压：逻辑1 ;所有输入
输入低电压：逻辑0 ;所有输入
输入漏电流：
命令和地址
任何输入0V
VIN
V
DD
输入， CKE
（所有其它引脚不被测= 0V ）
CK ，S ＃
DQ ， DQMB
输出漏电流： DQ引脚被禁用;
0V
V
OUT
V
DDQ
输出电平：
输出高电压（I
OUT
= -4mA ）
输出低电压（I
OUT
= 4毫安）
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
I
I
-20
-5
-5
2.4
–
20
5
5
–
0.4
A
A
A
V
V
民
3
2
-0.3
-40
最大
3.6
V
DD
+ 0.3
0.8
40
单位
V
V
V
A
笔记
22
22
33
I
OZ
V
OH
V
OL
33
表11 ： DC电气特性和操作条件 - 512MB模块
注：1 ，5，6 ;注释出现第17页; V
DD
, V
DDQ
= +3.3V ±0.3V
参数/条件
电源电压
输入高电压：逻辑1 ;所有输入
输入低电压：逻辑0 ;所有输入
输入漏电流：
命令和地址
任何输入0V
VIN
V
DD
输入， CKE
（所有其它引脚不被测= 0V ）
CK ，S ＃
DQ ， DQMB
输出漏电流： DQ引脚被禁用;
0V
V
OUT
V
DDQ
输出电平：
输出高电压（I
OUT
= -4mA ）
输出低电压（I
OUT
= 4毫安）
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
民
3
2
-0.3
-80
-20
-10
-10
2.4
–
最大
3.6
V
DD
+ 0.3
0.8
80
20
10
10
–
0.4
单位
V
V
V
A
A
A
A
V
V
笔记
22
22
33
I
I
I
OZ
V
OH
V
OL
33
32,64梅格×64 SDRAM DIMM的
SD8_16C32_64x64AG_C.fm - 版本C 11/02
12
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2002年，美光科技公司
