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256MB / 512MB （ 64 ）
168针SDRAM DIMM的
表22 ：串行存在侦测矩阵（续）
V
DD
= + 3.3V ± 0.3V ; “1”/ “0” ：串行数据， “驱动到高电平”/“驱动到低”
字节
31
32
33
34
35
36-61
62
63
描述
模块库密度
命令和地址设置时间，
t
如，
t
CMS
命令和地址保持时间，
t
啊，
t
CMH
数据信号输入设置时间，
t
DS
数据信号输入保持时间，
t
DH
版权所有
SPD修订
校验和字节0-62
条目
（版）
256MB
1.5ns （ -13E / -133 ）
为2ns （ -10E ）
0.8ns （ -13E / -133 ）
1纳秒（ -10E ）
1.5ns （ -13E / -133 ）
为2ns （ -10E ）
0.8ns （ -13E / -133 ）
1纳秒（ -10E ）
修订版1.2
(-13E)
(-133)
(-10E)
美光
MT8LSDT3264A （Ⅰ） MT16LSDT6464A （I）的
40
15
20
08
10
15
20
08
10
00
12
8B
D1
19
2C
FF
01 - 06
可变数据
01-04
00
可变数据
可变数据
可变数据
64
AF
40
15
20
08
10
15
20
08
10
00
12
8C
D2
1A
2C
FF
01 - 06
可变数据
01-04
00
可变数据
可变数据
可变数据
64
FF
64
65-71
72
73-90
91
92
93
94
95-98
99-125
126
127
注意：
制造商的JEDEC的ID代码
制造商的JEDEC的ID代码（续）
生产地点
模块部件号（ ASCII ）
PCB识别码
识别代号（续）
制造年份以BCD的
周制造于BCD的
模块序列号
制造商特定的数据（ RSVD ）
系统频率
SDRAM组件& CLOCK详细信息
0
100兆赫（ -13E /
-133/-10E)
1.所述的值
t
用于-13E模块的RAS由下式计算
t
RC -
t
RP 。实际的设备规范。值是37ns 。
32,64梅格×64 SDRAM DIMM的
SD8_16C32_64x64AG_C.fm - 版本C 11/02
22
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
