2Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
在V举行
HH
或WP ＃引脚保持高电平，直到ERASE
或写操作完成。在V
PP
引脚必须在V
PPH
（ 3.3V或5V ）时，引导块被写入或擦除。
该MT28F002B3和MT28F200B3都可用
两种配置和顶部或底部引导块。该
顶部引导块版本支持x86的处理器
品种繁多。底部引导块版本适用于
680X0和RISC应用程序。图1示出了
内存地址映射与这两个ver-相关
sions 。
参数块
这两个8KB参数块存储不太敏感
和更频繁变化的系统参数和
还可以存储配置或诊断编码。
启用了擦除时， V这些块
PP
针
是V
PPH
。无超电压解锁或WP ＃控制
所需。
主内存模块
剩下的两个块是通用
内存块，并且不需要对一个超电压
RP ＃或WP ＃控制被擦除或写入。这些
块用于代码存储， ROM驻留
需要IN-应用程序或操作系统
系统更新功能。
上电后或复位后，设备将automati-
美云是在该阵列中读取模式。所有命令和它们的
操作包括在命令集和COM的
命令执行的部分。
状态寄存器
执行状态寄存器的读要求
相同的输入序列作为数组的一个READ除外
该地址输入“不在乎。 ”状态
寄存器的内容总是在DQ0 - DQ7输出，再
gardless的BYTE ＃上MT28F200B3的条件。
DQ8 - DQ15都为低电平时，字节＃为高电平，并DQ8-
DQ14是高阻时， BYTE ＃为低。从数据
状态寄存器锁存OE ＃下降沿或
CE＃ ，最后的为准。如果状态寄存器的内容
状态寄存器的读寄存器中的变化，
无论OE＃或CE＃可以切换，而另一个是
保持低电平来更新输出。
经过写或擦除，设备automati-
美云进入状态寄存器读模式。此外，
一个写入或擦除过程中，读取时将产生
在DQ0 - DQ7状态寄存器的内容。当该装置
在擦除暂停模式，进行读操作将
生产状态寄存器的内容，直到另一个的COM
命令发出。当设备在某些其他
模式，读状态寄存器，可给予重新
转状态寄存器读模式。所有的命令
和他们的业务覆盖了命令集
和命令执行的部分。
识别寄存器
两个8位的设备标识寄存器的读
TER值需要同样的输入序列作为一个READ
的阵列。 WE＃要高，和OE ＃和CE ＃必须
是低电平。然而， ID寄存器的数据被输出仅在
的DQ0 - DQ7 ，无论BYTE ＃的条件
MT28F200B3 。 A0用于在两者之间进行解码
设备ID寄存器的字节;所有其他地址输入
是“不在乎。 ”当A0为低，制造商
兼容性ID是输出，而当A0为高电平时，
设备ID是输出。 DQ8 - DQ15是高阻时， BYTE ＃
为LOW 。当BYTE ＃为高电平， DQ8 - DQ15是00H
当制造商兼容性ID被读出并
当装置ID被读取22H 。
去识别寄存器读出模式，
读出的识别可以同时该设备发出的
在某些其他模式。此外， identifica-
置寄存器读出模式可以通过应用程
超电压（V
ID
）的A9引脚。使用这种方法，
ID寄存器可以读，而该设备在任何
模式。一旦A9返回到V
IL
或V
IH
，该设备将
返回到先前的模式。
输出（读取）操作
该MT28F002B3和MT28F200B3功能3
不同类型的READS 。根据当前的
该装置的模式，读操作会产生数据
从存储器阵列，状态寄存器或设备iDEN的
tification寄存器。在每个这些三种情况下， WE＃
CE＃和OE ＃输入被控制以类似的方式。
模式之间的移动来执行特定的读操作
盖在命令执行部。
存储阵列
要读取的存储器阵列， WE＃要高，而
OE ＃和CE ＃必须为低电平。有效数据将被输出
在DQ引脚一旦这些条件得到满足
和一个有效地址被给出。有效的数据将保留在
DQ管脚，直到地址变更，或直到OE ＃或
CE＃变高，以先到为准。 DQ管脚
将继续输出新数据的每个地址后
只要OE ＃和CE ＃保持低电平的转换。
该MT28F200B3具有可选的总线宽度。
当存储阵列进行访问的128K ×16 ，
字节＃是高电平，并且数据将在DQ0 - DQ15输出。
要访问存储阵列作为一个256K ×8 ， BYTE ＃绝
为低电平， DQ8 - DQ14是高阻，并且所有数据被输出
在DQ0 - DQ7 。在DQ15 / （A - 1 ）引脚变为最低
为了地址输入，使262,144的位置可以
读取。
2MB智能3引导块闪存
F48.p65 - 修订版1/00
9
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2000年，美光科技公司
