2Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
FL灰内存
MT28F002B3
MT28F200B3
只有3V ，双电源（智能3 ）
40引脚TSOP I型48引脚TSOP I型
特点
五擦除块：
16KB / 8K字引导块（保护）
两个8KB / 4K字的参数块
两个主要的存储器块
智能3技术（ B3 ） ：
3.3V
±0.3V
V
CC
3.3V
±0.3V
V
PP
应用程序编程
5V
±10%
V
PP
应用/生产
程序设计
12V
±5%
V
PP
兼容产品
程序设计
地址访问时间：为90ns ， 100ns的
100,000次擦除周期
业界标准引脚
输入和输出完全兼容TTL
自动写入和擦除算法
双循环写/擦除序列
字节或字宽READ和WRITE
（ MT28F200B3 ， 128K ×16 / 256K ×8 ）
字节宽的阅读与写
（ MT28F002B3 ， 256K ×8 ）
TSOP和SOP封装选项
44引脚SOP
概述
该MT28F002B3的（x8）和MT28F200B3 （ X16 / X8 ）
是非易失性的，电的块擦除（闪存） ，亲
可编程，只读包含2,097,152回忆
位组织为131072个字（ 16位）或262144
个字节（8位） 。写或擦除设备与完成
3.3V或5V V
PP
电压，而所有的操作都
采用3.3V V进行
CC
。由于工艺技术
进步， 5V V
PP
是最佳的应用和生产
化编程。用于与向后兼容性
SmartVoltage技术， 12V V
PP
支持一个
最多100个周期，并且可以连接多达
以累计100小时。这些设备被制造
与美光先进的CMOS浮栅工艺。
该MT28F002B3和MT28F200B3组织
五个单独擦除块。以确保
关键的固件被意外删除或保护
覆盖，该器件具有硬件保护
引导块。写或擦除引导块需要
无论是采用了超电压的RP ＃引脚或driv-
荷兰国际集团WP ＃高，除了执行正常的
写或擦除序列。该块可以被用来存储
在低级别的系统恢复代码执行。该
其余的块变化的密度和写入和
删除不需要额外的安全措施。
请参阅
美光科技公司网站
（ www.micron.com/
闪存/ HTMLS / datasheets.html ）
最新的数据表。
选项
时机
为90ns存取
100ns的访问
配置
256K ×8
128K ×16 / 256K ×8
引导块起始字地址
顶（ 1FFFFH ）
底部（ 00000H ）
工作温度范围
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
扩展级（-40 ° C至+ 85°C ）
包
塑料44引脚SOP （ 600万）
塑料48针TSOP 1型
（12毫米X 20毫米）
塑料40针TSOP
（ 10毫米x10 20毫米）
产品编号举例：
记号
-9
-10 ET
MT28F002B3
MT28F200B3
T
B
无
ET
SG
WG
VG
MT28F200B3SG - 9吨
2MB智能3引导块闪存
F48.p65 - 修订版1/00
1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2000年，美光科技公司
