2Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
真值表（ MT28F200B3 ）
1
功能
待机
RESET
读
READ （字模式）
READ （字节模式）
输出禁用
写/擦除（除引导块）
2
删除设置
擦除确认
3
写设置
写（字模式）
4
WRITE （字节模式）
4
读阵列
5
写/擦除（ BOOT BLOCK ）
2, 7
删除设置
擦除确认
3
擦除确认
3, 6
写设置
写（字模式）
4
写（字模式）
4, 6
WRITE （字节模式）
4
WRITE （字节模式）
4, 6
读阵列
5
设备Identi科幻阳离子
8, 9
制造商的兼容性
（字模式）
10
制造商的兼容性
（字节模式）
设备（字模式，顶部引导）
10
设备（字节模式，顶部引导）
设备（字模式，底部启动）
10
设备（字节模式，底部启动）
注意：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
RP ＃
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
V
HH
H
H
V
HH
H
V
HH
H
H
H
H
H
H
H
H
CE＃
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
OE ＃
X
X
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
WE＃ WP ＃ BYTE ＃ A0
X
X
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
X
X
H
X
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
X
X
X
X
H
L
X
X
X
X
X
H
H
L
L
X
H
L
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
H
H
A9
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
ID
V
ID
V
ID
V
ID
V
ID
V
PP
X
X
X
X
X
X
V
PPH
X
V
PPH
V
PPH
X
X
V
PPH
V
PPH
X
V
PPH
V
PPH
V
PPH
V
PPH
X
X
X
X
X
X
X
DQ0 - DQ7 DQ8 - DQ14 DQ15 / A - 1
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
20H
D0H
10H/40H
数据在
数据在
FFH
20H
D0H
D0H
10H/40H
数据在
数据在
数据在
数据在
FFH
89H
89H
74H
74H
75H
75H
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
高-Z
X
X
X
数据在
X
X
X
X
X
X
数据在
数据在
X
X
X
00H
高-Z
22H
高-Z
22H
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
A-1
高-Z
X
X
X
数据在
A-1
X
X
X
X
X
数据在
数据在
A-1
A-1
X
–
X
–
X
–
X
L = V
IL
（低） ，H = V
IH
（高）中，X = V
IL
或V
IH
（ “无关” ） 。
V
PPH
= V
PPH1
(3.3V), V
PPH2
（5V）或V
PPH3
(12V).
操作之前必须先擦除设置命令。
操作之前必须先写SETUP命令。
读阵列写入或擦除后之前，必须发出读阵列命令。
当WP ＃ = V
IH
， RP ＃可能是在V
IH
或V
HH
.
V
HH
= 12V.
V
ID
= 12V ;也可以通过发出IDENTIFY DEVICE命令读取。
A1 -A8 ， A10 ， A16 = V
IL
.
值反映DQ8 - DQ15 。
2MB智能3引导块闪存
F48.p65 - 修订版1/00
5
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2000年，美光科技公司
