2Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
投入运营
DQ管脚被使用，也可以将数据输入到所述
阵列或输入一个命令，以对CEL 。的命令
输入发出一个8位的命令用来对CEL控制
该装置的工作模式。一个写的是用来
输入数据传送到存储器阵列。以下部分
描述了两种类型的输入。更多信息DE-
划线如何使用这两种类型的输入，以便写入或
擦除设备中的命令执行规定
部分。
COMMANDS
要执行的命令输入， OE ＃要高，
和CE ＃和WE ＃必须为低电平。地址是“不要
关心“，但必须保持稳定，除在擦除过程中
CONFIRM （在后面的章节中描述） 。 8位的COM
命令输入的DQ0 - DQ7 ，而DQ8 - DQ15是
“不关心”的MT28F200B3 。该命令是
锁存CE ＃上升沿（ CE ＃ -controlled ）或
WE＃ （ WE＃ -controlled ） ，以先到为准。该
的BYTE ＃上MT28F200B3条件没有影响
上输入的命令。
存储阵列
在写入存储器阵列设置所需的位
逻辑0 ，但可以在给定位置为逻辑1 ，从不会改变
逻辑0 ，设置任何位为逻辑1要求
整个块进行擦除。执行写入， OE ＃必须
为高电平， CE＃和WE＃必须为低，且V
PP
必须是
设定为V
PPH
1
或V
PPH
2
。写入引导块也
要求RP ＃引脚处于V
HH
或WP ＃高。 A0
A16 / （ A17）提供要被写入的地址，而
数据被写入到该阵列被输入到DQ管脚。
的数据和地址被锁存的上升沿
CE ＃ （ CE ＃ -controlled ）或WE ＃ （ WE＃ -controlled ） ，而─
先出现。一个写操作必须在前面加一个写
SETUP命令。上详细描述了如何将数据输入到所述
数组将包括在写序列部分。
可选的总线宽度适用于写操作，因为它不
以读取在MT28F200B3 。当BYTE ＃为低
（字节模式） ，数据输入对DQ0 - DQ7 ， DQ8 - DQ14是
大Z和DQ15成为最低阶地址
输入。当BYTE ＃为高电平（字模式） ，数据输入
在DQ0 - DQ15 。
表1
命令集
命令
版权所有
十六进制代码
00H
描述
这个命令，所有未上市的命令是无效的，不应该
被调用。这些命令被保留以便未来的特征
增强功能。
任何其他指令周期后必须发出之前的阵列可以是
读取。这是没有必要发出后，上电或复位命令。
允许将设备ID和制造商的兼容性的ID被读取。 A0为
使用制造商的兼容性ID之间进行解码（ A0 = LOW ）
和设备ID （ A0 =高） 。
允许状态寄存器进行读取。请参阅表2更
在状态寄存器位的信息。
清除状态寄存器中的位3-5中，不能用在ISM清零。
第一命令在两个周期的擦除序列给出。在擦除操作会
不能完成，除非后面ERASE CONFIRM 。
所述第二命令中的双循环擦除序列给出。必须遵循
一个ERASE SETUP命令是有效的。在擦除过程中也使用
休眠到恢复ERASE 。
第一个命令，在双循环写入顺序给出。写
数据和地址列于下面的循环来完成写入。
请擦除停止，并把设备进入擦除挂起
模式。当该装置是在该模式中，仅读状态寄存器，
读阵列和擦除恢复命令可以执行。
读阵列
识别设备
FFH
90H
读状态寄存器
清除状态寄存器
删除设置
ERASE确认/ RESUME
70H
50H
20H
D0H
写设置
擦除挂起
40H或
10H
B0H
2MB智能3引导块闪存
F48.p65 - 修订版1/00
10
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2000年，美光科技公司
