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IDT70V18L
高速3.3V 64K ×9双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
70V18L15
Com'l只有
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
芯片ENAB乐加电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
信号标志更新脉冲（ OE或
SEM ）
旗语地址访问时间
15
____
____
____
____
70V18L20
Com'l
&工业
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
20
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4854 TBL 12
15
15
10
____
____
20
20
12
____
____
3
3
____
3
3
____
10
____
10
____
0
____
0
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15
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20
____
10
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10
____
15
20
AC电气特性在
工作温度和电源电压
70V18L15
Com'l只有
符号
写周期
t
WC
t
EW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
HZ
t
DH
t
WZ
t
OW
t
SWRD
t
SPS
写周期时间
芯片使能到结束时的写
(3)
地址有效到结束时的写
地址建立时间
(3)
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
输出高阻时间
(1,2)
数据保持时间
(4)
写ENAB文件来输出高-Z
(1,2)
输出从主动结束了，写
(1,2,4)
SEM
标志写阅读时间
SEM
国旗竞争窗口
15
12
12
0
12
0
10
____
____
____
____
____
70V18L20
Com'l
&工业
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
20
15
15
0
15
0
15
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
____
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____
____
____
10
____
10
____
0
____
0
____
10
____
10
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0
5
5
0
5
5
____
____
____
____
4854 TBL 13
注意事项：
1.转变是从与输出负载测试（图2 ）低或高阻抗电压测量0mV 。
2.此参数由器件特性guaranted ，但不生产测试。
3.要访问的RAM ，
CE =
V
IL
和
SEM
= V
IH
。要访问信号量，
CE
= V
IH
和
SEM
= V
IL
。任何一个条件必须是适用于整个吨
EW
时间。
4.规范吨
DH
必须通过该设备的所有操作条件下供给的写入数据到RAM来满足。虽然吨
DH
和T
OW
值会有所不同的过电压和
温度，实际吨
DH
总是会比实际吨小
OW
.
7
