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IDT70V18L
高速3.3V 64K ×9双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V18L
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
(2)
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
4854 TBL 09
___
___
2.4
注意事项：
1.在Vcc
＆ LT ;
2.0V ，输入泄漏是不确定的。
2.参考真值表I - 芯片Enable- 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(5)
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V18L15
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
待机电流
（这两个港口 - TTL电平
输入）
待机电流
（单端口 - TTL电平
输入）
全待机电流
（这两个港口 - 所有CMOS
电平输入）
全待机电流
（一个端口 - 所有CMOS
电平输入）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
SEM
= V
IH
f = f
最大
(2)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(2)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(4)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(2)
,
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(3)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(4)
,
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
活动端口OUTP UTS残疾人，女= F
最大
(2)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
典型值。
(1)
145
---
40
---
100
---
0.2
---
95
---
马克斯。
235
---
70
---
155
---
3.0
---
150
---
70V18L20
Com'l
&工业
典型值。
(1)
135
135
35
35
90
90
0.2
0.2
90
90
马克斯。
205
220
55
65
140
150
3.0
3.0
135
145
4854 TBL 10
单位
mA
I
SB1
mA
I
SB2
mA
I
SB3
mA
I
SB4
mA
注意事项：
1. V
CC
= 3.3V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 90毫安（典型值）。
2.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC ，
并用GND的输入电平的“交流测试Conditions"
为3V 。
3， F = 0表示无地址或控制线变化。
4.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
5.参考真值表I - 芯片使能。
5
