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IDT70V18L
高速3.3V 64K ×9双端口静态RAM
初步
工业和商业温度范围
真值表I - 芯片使能
(1,2)
CE
CE
0
V
IL
L
＆ LT ; 0.2V
V
IH
H
X
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
(3)
CE
1
模式
端口选择（ TTL活动）
端口选择（ CMOS有源）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ CMOS无效）
端口取消（ CMOS无效）
4854 TBL 06
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
V
IL
X
(3)
<0.2V
注意事项：
1.芯片使能引用上面显示与实际
CE
0
和CE
1
水平;
CE
只是一个参考。
2. “H” = V
IH
和' L' = V
IL
.
3. CMOS待机需要' X'是要么< 0.2V或>V
CC
-0.2V.
真值表II - 非争读/写控制
输入
(1)
CE
(2)
H
L
L
X
读/写
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
输出
I / O
0-8
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
取消：掉电
写入内存
阅读记忆
输出禁用
4854 TBL 07
模式
注意事项：
1. A
0L
— A
15L
≠
A
0R
— A
15R
2.参考芯片使能真值表。
真值表III - 旗语读/写控制
(1)
输入
CE
(2)
H
H
L
读/写
H
↑
X
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
输出
I / O
0-8
数据
OUT
数据
IN
______
模式
阅读信号灯标志数据输出
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
4854 TBL 08
注意事项：
1.有写到我8信号旗/ O
0
和所有的I / O （我读/ O
0
-I / O
8
） 。这八个信号旗是由一个处理
0
-A
2
.
2.参考芯片使能真值表。
4
