飞利浦半导体
PHB100N03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
2.5
VGS （ TH）
(V)
最大
03aa33
10-1
ID
(A)
10-2
03aa36
2
典型值
1.5
民
10-3
民
典型值
最大
1
10-4
0.5
10-5
0
-60
-20
20
60
100
140
180
TJ （OC）
10-6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
VGS （ V）
3
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
T
j
= 25
°C;
V
DS
= 5 V
图10.栅极 - 源极阈值电压的一个函数
结温。
03ab23
图11，子阈值漏电流的函数
栅极 - 源极电压。
03ab24
80
政府飞行服务队75
(S) 70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
VDS >内径×导通电阻
TJ = 25℃
104
西塞，科斯，
CRSS （PF ）
175oC
西塞
103
科斯
CRSS
5
10
15
20
25
30
35
40
45
ID （ A）
50
102
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
j
= 25
°C
175
°C;
V
DS
＆ GT ;
I
D
×
R
DSON
V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
图12.正向跨导作为一个功能
漏电流;典型值。
图13.输入，输出和反向传输电容
作为漏极 - 源极电压的函数;典型
值。
9397 750 07309
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产品speci fi cation
版本01 - 2000年9月7日
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