飞利浦半导体
PHB100N03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
120
P
DER
(%)
100
03aa16
伊德尔
(%)
120
100
80
60
40
20
0
03ac83
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
（ OC ）
mb
0
25
50
75
100 125 150 175 200
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
102
IAS
(A)
03ab29
103
ID
(A)
102
特区
10
P
03ab18
25oC
导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
TJ雪崩前= 150℃
δ
=
tp
T
tp
t
T
1
10-1
1
10
VDS （ V） 102
1
10-3
10-2
10-1
1
TP（ ms）的
10
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
非钳位感性负载; V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 5 V ;起始物为
j
= 25
°C
和150℃。
图3.安全工作区;连续和峰值漏极
电流与漏 - 源极电压的函数。
图4.非重复性雪崩耐用电流
由于脉冲持续时间的函数。
9397 750 07309
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产品speci fi cation
版本01 - 2000年9月7日
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