飞利浦半导体
PHB100N03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
03ab20
50
ID
(A) 45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
VDS （ V）
2
2V
2.2 V
TJ = 25℃
2.4 V
10V
5V
2.6 V
3V
VGS = 2.8 V
03ab22
50
ID
45
(A)
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
VGS （ V）
3
175oC
TJ = 25℃
VDS >内径×导通电阻
T
j
= 25
°C
T
j
= 25
°C
175
°C;
V
DS
＆ GT ;
I
D
×
R
DSON
图6.输出特性：漏极电流为
漏极 - 源极电压的函数;典型值。
0.03
RDSON
()
0.025
03ab21
图7.传输特性：漏极电流为
栅极 - 源极电压的函数;典型值。
03aa27
2.2 V
2.4 V
2.6 V
2.0
a
1.8
1.6
1.4
0.02
1.2
0.015
2.8 V
3V
0.01
5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.005
TJ = 25℃
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
ID （ A）
50
VGS = 10V
0.2
0
-60
-20
20
60
100
140
T（ ℃）
j
180
T
j
= 25
°C
R
DSON
a
=
---------------------------
-
R
DSON
(
25
°
C
)
图8.漏源导通电阻的函数
漏电流;典型值。
图9.归漏极 - 源极导通电阻
因子作为结温的函数。
9397 750 07309
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年9月7日
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