飞利浦半导体
PHB100N03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
典型值
5.0
6.2
最大
25
75
125
175
5.8
7.5
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
峰值栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
t
p
≤
50
s;
脉冲;占空比= 25 ％
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
AS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC）
峰源（二极管正向）电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
t
p
= 0.2毫秒; V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 5 V ;起始物为
j
= 25
°C;
图4
非钳位感性负载; V
DD
≤
15 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 5 V;
图4
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
T
j
= 25 175
°C
T
j
= 25 175
°C;
R
GS
= 20 k
民
55
55
最大
25
25
±15
±20
75
67
240
125
+175
+175
75
240
240
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
I
AS
非重复性雪崩电流
75
A
9397 750 07309
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年9月7日
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