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电气和热特性
表3
提供了推荐的工作条件， MPC755 。
表3.推荐工作条件
1
推荐值
特征
符号
300兆赫， 350兆赫
民
核心供电电压
PLL供电电压
L2 DLL电源电压
处理器总线
电源电压
L2总线电源
电压
输入电压
BVSEL = 1
V
DD
AV
DD
L2AV
DD
OV
DD
1.80
1.80
1.80
2.375
3.135
L2VSEL = 1
L2OV
DD
2.375
3.135
处理器总线
L2总线
JTAG信号
压铸结温
V
in
V
in
V
in
T
j
GND
GND
GND
0
最大
2.10
2.10
2.10
2.625
3.465
2.625
3.465
OV
DD
L2OV
DD
OV
DD
105
民
1.90
1.90
1.90
2.375
3.135
2.375
3.135
GND
GND
GND
0
400兆赫
最大
2.10
2.10
2.10
2.625
3.465
2.625
3.465
OV
DD
L2OV
DD
OV
DD
105
V
V
V
°C
V
V
V
V
V
3
3
3
2, 4
5
2, 4
5
单位
笔记
注意事项：
1.这是推荐的和测试的操作条件。这些条件之外器件正常工作无法保证。
之前的版本2.8 （修订版E） 2.修订提供了不同的I / O电压支持。欲了解更多信息，请参阅
10.2节， “零件编号不完全
本文档解决。 “
3. 2.0V的标称。
4. 2.5 V的标称。
5. 3.3 V的标称。
表4
提供的封装热特性的MPC755和MPC745 。在MPC755最初
采样中的CBGA封装，但生产单元中都的CBGA和PBGA封装当前提供的。
因为PBGA封装，飞思卡尔的更好的长期设备对板互连的可靠性的
建议使用PBGA封装的，除非情况需要使用CBGA封装。在MPC745是
仅在PBGA封装。
MPC755 RISC微处理器硬件规格，版本6.1
飞思卡尔半导体公司
9
