飞利浦半导体
PHX18NQ20T
N沟道FET
8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 200 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 8 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
动态特性
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
on
t
关闭
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
开启时间
打开-O FF时间
V
DD
≤ 100 V ;
D
= 5.6
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 5.6
;
阻性负载
I
S
= 16 A; V
GS
= 0 V;
图13
I
S
= 16 A;
dI
S
/ DT =
100
A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V
I
D
= 18 A; V
DD
= 160 V;
V
GS
= 10 V;
图14
V
DS
= 25 V ; I = 8 A;
图11
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
15
1850
170
91
40
9
22
3
92
_
_
_
_
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
130
180
450
m
m
0.05
10
10
100
100
A
A
nA
2
1.2
3
4
6
V
V
V
200
178
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
源极 - 漏极二极管
V
SD
t
rr
Q
r
源极 - 漏极（二极管的正向）
电压
反向恢复时间
恢复电荷
0.9
130
0.8
1.2
V
ns
C
9397 750 07452
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年8月28日
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