飞利浦半导体
PHX18NQ20T
N沟道FET
20
18
IS
(A) 16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VSD （V）的
o
TJ = 25℃
VGS = 0 V
03ac77
o
150 C
15
14
VGS
(V) 13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
03ac79
ID = 18一
TJ = 25℃
VDD = 40V
VDD = 160V
1.2
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
QG （ NC ）
T
j
= 25
°C
150
°C;
V
GS
= 0 V
图13.来源（二极管的正向）的电流的一个函数
源极 - 漏极（二极管的正向）电压;典型
值。
图14栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值。
9.隔离特性
表6 ：隔离特性
符号
参数
V
ISOL
RMS的隔离电压
所有三个终端
外部散热器。
从2脚电容
（漏极）到外部
散热器。
条件
F = 50-60赫兹;正弦
波形; RH
≤
65 ％ ;清洁
无尘。
分钟。
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
10
pF
9397 750 07452
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年8月28日
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