飞利浦半导体
PHX18NQ20T
N沟道FET
120
03aa11
03aa19
120
I
DER
100
(%)
P
DER
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
（ OC ）
mb
0
0
25
50
75
100
125 150 175
o
TAMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能环境温度。
102
ID
(A)
10
导通电阻= VDS / ID
图2.归连续漏极电流为
功能环境温度。
03ac74
TP = 10微秒
100s
1毫秒
1
P
tp
δ
=
T
10毫秒
特区
100毫秒
tp
T
t
10-1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 07452
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产品speci fi cation
版本01 - 2000年8月28日
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