飞利浦半导体
PHX18NQ20T
N沟道FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 150
°C
T
hs
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
hs
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 8 A;牛逼
j
= 25
o
C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 8 A;牛逼
j
= 150
°C
典型值
130
最大
200
8.2
30
150
180
450
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
hs
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
hs
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC）
峰源（二极管正向）电流
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
hs
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
hs
= 25
°C;
图1
条件
T
j
= 25 150
°C
T
j
= 25 150
°C;
R
GS
= 20 k
民
55
55
最大
200
200
±20
8.2
5.2
33
30
+150
+150
8.2
33
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 07452
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年8月28日
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