飞利浦半导体
PSMN008-75P ; PSMN008-75B
N沟道增强模式音响场效晶体管
5
V
03aa32
10-1
ID
(A)
03aa35
4.5
GS （ TH）
(V)
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-60
-20
20
60
马克斯。
10-2
典型值。
10-3
民
典型值
最大
民
10-4
10-5
10-6
100
140
o
TJ （ C）
180
0
1
2
3
4
VGS （ V）
5
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
T
j
= 25
°C;
V
DS
= 5 V
图10.栅极 - 源极阈值电压的一个函数
结温。
100
g
fs
(S)
90
80
70
60
50
40
30
20
o
175 C
VDS >内径×导通电阻
TJ = 25℃
03ac71
图11，子阈值漏电流的函数
栅极 - 源极电压。
104
西塞，科斯，
CRSS （PF ）
03ac68
西塞
103
科斯
CRSS
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80 90 100
ID （ A）
102
10-1
1
10
VDS （ V）
10 2
T
j
= 25
°C
175
°C;
V
DS
＆ GT ;
I
D
×
R
DSON
V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
图12.正向跨导作为一个功能
漏电流;典型值。
图13.输入，输出和反向传输电容
作为漏极 - 源极电压的函数;典型
值。
9397 750 07495
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年9月18日
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